[发明专利]熔丝工艺的返工方法有效
| 申请号: | 201310064349.7 | 申请日: | 2013-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN104022067B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | 黄玮 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
| 地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 工艺 返工 方法 | ||
1.一种熔丝工艺的返工方法,包括下列步骤:
在出现了异常熔丝、需要进行熔丝工艺返工的晶圆表面淀积形成第一平坦化层,进行平坦化;
在淀积有第一平坦化层的所述晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻,露出熔丝图形窗口;
对所述第一平坦化层进行第一步腐蚀,使腐蚀后正常熔丝和异常熔丝上覆盖的介质厚度减薄至第一厚度或略小于所述第一厚度,所述第一厚度是所述平坦化步骤后被所述光刻胶保护的第一平坦化层的厚度;
去除所述光刻胶;
对所述第一平坦化层和异常熔丝上的介质层进行第二步腐蚀,去除所述第一平坦化层、去除异常熔丝上的介质层。
2.根据权利要求1所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,在所述晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻的步骤前还包括在所述第一平坦化层表面涂布形成第二平坦化层的步骤;对所述第一平坦化层进行第一步腐蚀的步骤前还包括腐蚀所述第二平坦化层,将未被光刻胶保护的所述第二平坦化层完全去除的步骤;所述第二步腐蚀的步骤中同时去除剩余的所述第二平坦化层。
3.根据权利要求2所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述第二平坦化层为平坦化类型的有机抗反射涂层。
4.根据权利要求3所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述第二平坦化层的涂布厚度为0.2至0.4微米。
5.根据权利要求2所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述第二平坦化层的材质为光刻胶。
6.根据权利要求5所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述第二平坦化层的涂布厚度为0.3至0.6微米。
7.根据权利要求5所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述在晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻的步骤前还包括对所述第二平坦化层进行热回流的步骤。
8.根据权利要求2所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述腐蚀第二平坦化层的步骤中,对第一平坦化层和第二平坦化层的腐蚀选择比一致。
9.根据权利要求1所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述第一平坦化层的材质为硼磷硅玻璃。
10.根据权利要求1-9中任意一项所述的熔丝工艺的返工方法,其特征在于,所述在晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻的步骤中,是露出熔丝图形窗口和引线孔图形窗口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





