[发明专利]单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器

权利要求书

1.一种单层触摸屏，包括：基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；其特征在于，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。

2.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述屏蔽铟锡氧化物层与黑矩阵边框设置在基板的同一侧。

3.根据权利要求2所述的单层触摸屏，其特征在于，在黑矩阵边框上方至少设有所述铟锡氧化物电极层与所述屏蔽铟锡氧化物层中的一种。

4.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述铟锡氧化物电极层和所述金属布线隔着所述绝缘保护层而设置于所述黑矩阵边框上方。

5.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵边框与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状相同。

6.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层与黑矩阵边框的图案形状互补，或所述钝化层与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状互补。

7.根据权利要求6所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层上形成有与该钝化层图案形状相同的屏蔽铟锡氧化物层。

8.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述单层触摸屏还包括：设置于铟锡氧化物电极层上的柔性印刷电路。

9.一种触摸屏显示器，其特征在于，所述触摸屏显示器包括权利要求1至8中任一项所述的单层触摸屏。

10.一种单层触摸屏的制作方法，包括：在基板上形成黑矩阵边框；其特征在于，该方法还包括：

在形成有黑矩阵边框的基板上形成屏蔽铟锡氧化物层；

在形成有屏蔽铟锡氧化物层的基板上形成绝缘保护层；

在形成有绝缘保护层的基板上形成金属布线和金属桥；

在形成有金属桥的基板上形成绝缘层；

在形成有金属布线、绝缘保护层、金属桥和绝缘层上的基板上形成铟锡氧化物电极层；

在形成有绝缘层和铟锡氧化物电极层上的基板上形成钝化层。

11.根据权利要求10所述的单层触摸屏的制作方法，其特征在于，

所述黑矩阵边框和屏蔽铟锡氧化物层的形成采用第一掩膜板，所选光刻胶为正胶；所述金属布线和金属桥的形成采用第二掩膜板；所述绝缘层的形成采用第三掩膜板；所述铟锡氧化物电极层的形成采用第四掩膜板；所述钝化层的形成选用第一掩膜板，所选光刻胶为负胶。

12.一种单层触摸屏的制作方法，包括：在基板上形成黑矩阵边框；其特征在于，该方法还包括：

在形成有黑矩阵边框的基板上形成绝缘保护层；

在形成有绝缘保护层的基板上形成金属布线和金属桥；

在形成有金属桥的基板上形成绝缘层；

在形成有金属桥、绝缘层、绝缘保护层以及金属布线的基板上形成铟锡氧化物电极层；

在形成有绝缘层和铟锡氧化物电极层上的基板上形成钝化层；

在形成有钝化层的基板上形成屏蔽铟锡氧化物层。

13.根据权利要求12所述的单层触摸屏的制作方法，其特征在于，

所述黑矩阵边框和绝缘保护层的形成采用第一掩膜板，所选光刻胶为正胶；所述述金属布线和金属桥的形成采用第二掩膜板；所述绝缘层的形成采用第三掩膜板；所述铟锡氧化物电极层的形成采用第四掩膜板；所述钝化层和屏蔽铟锡氧化物层的形成采用第一掩膜板，所选光刻胶为负胶。