[发明专利]一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法有效

专利信息
申请号: 201310056981.7 申请日: 2013-02-22
公开(公告)号: CN104001350A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 孙颖欣;吴飞;曹添;苏芳;黄伟 申请(专利权)人: 南京四新科技应用研究所有限公司
主分类号: B01D19/04 分类号: B01D19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210027 江苏省南京市下关区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 电路板 清洗 用消泡剂 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法,在消泡剂组分中引入改性硅聚醚,所述消泡剂由以下组分组成:

(A)改性硅聚醚,以改性硅聚醚的用量为100份计,首先将20~50份聚有机含氢硅氧烷和10~15份乙烯基聚有机硅氧烷混合均匀,在70~100℃加催化剂,并在此温度下保温0.1~1h;然后加入40~60份聚醚,并再加入催化剂,升温至110℃~150℃反应0.5~2h,降至室温得到所述改性硅聚醚,改性硅聚醚的用量为消泡剂总质量的20~50%;

(B)低碳醇醚,用量为消泡剂总质量的0.5~25%;

(C)乳化剂,为非离子型乳化剂,用量为消泡剂总质量的1~5%;

(D)水,用量为消泡剂总质量的为50~70%;

所述的消泡剂由以下方法制备:

将改性硅聚醚和低碳醇醚混合均匀,然后向其中加入乳化剂,搅拌均匀后向上述混合物中加入水,充分搅拌混匀即可。

2.权利要求1所述的一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法,其中(A)中的聚有机含氢硅氧烷至少含一种如下结构通式:

(CH3)3Si((CH3) H Si O)a ((CH3)2SiO)bSi(CH3)3

下标a是2~80的整数,下标b是1~300的整数,每个分子具有至少2个硅键合的氢原子,所述的聚有机含氢硅氧烷在25℃时的动力粘度为20~500mPa·s。

3.权利要求1所述的一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法,其中(A)中的聚醚的结构通式为:

MO(EO)d(PO)eR1

式中,R1相同或不同,为氢原子或一价的取代或非取代的碳原子数为1~4的烃基,包括甲基、乙基、丙基、丁基;M为碳原子数为3~10的不饱和烃基,选自丙烯基、α-丁烯基、α-戊烯基、α-己烯基、α-庚烯基、α-辛烯基、α-壬烯基、α-癸烯基;d为1~60的整数,e为0~50的整数。

4.权利要求1所述的一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法,其中(A)中的乙烯基聚有机硅氧烷的结构通式为:

CH2=CH(CH3)2SiO ((CH3)2SiO)fSi(CH3)2CH=CH2

下标f是10~600的整数,乙烯基聚有机硅氧烷在25℃时的动力粘度为50~1,000mPa·s。

5.权利要求1所述的一种提高电路板清洗用消泡剂性能的方法,其中低碳醇醚的结构通式为H(CH2)nO(H (CH2)pCHCH2O)mH,其中p为0或1,n为0~20的整数,m为0~5的整数,m+n+p≥1 。

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