[发明专利]一种龙泉青瓷垫烧工艺无效

专利信息
申请号: 201310041794.1 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN103073266A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 张建平 申请(专利权)人: 丽水学院
主分类号: C04B33/34 分类号: C04B33/34
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 323000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 龙泉 青瓷 工艺
【权利要求书】:

1.一种龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于,将垫烧部位进行纹样装饰处理,包括以下步骤:

①成型:按照设计要求,制作青瓷泥坯;

②干燥:将制作好的青瓷泥坯进行干燥处理,达到半干燥的程度;

③修坯:按照设计要求,将半干燥的青瓷泥坯精修,尤其是垫烧部位需按照设计要求修整可装饰区域;

④垫烧部位的装饰:根据青瓷制品的工艺要求,对青瓷泥坯上的垫烧部位进行装饰,得到青瓷胎体;

⑤垫饼的制作:使用与青瓷泥坯相同的制胎原料制作垫饼,对垫饼进行处理,使其与青瓷胎体需垫烧部位尺寸完全吻合;

⑥素烧:将干燥后的青瓷胎体及垫饼装进窑炉,烧制5-6小时,使窑温从常温逐渐升至750~780℃,然后再继续保温10-20分钟,熄火自然冷却,得到青瓷素烧胎;

⑦施釉:对青瓷素烧胎进行施釉,施釉后将需垫烧部位表层釉面刮除干净;

⑧釉烧:将垫饼与青瓷素烧胎上的垫烧部位完全吻合放置,一起装进窑炉进行二次烧成,经过8-12小时的烧制,使窑温达到1280℃后止火冷却,得到垫烧部位装饰完好的青瓷制品,即成。

2.根据权利要求1所述的龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于:所述的步骤⑧中的具体操作步骤是:a.干燥阶段:以2-3℃/min的升温速度烧制2.5-3小时,使窑温升至450~500℃;b.氧化阶段:以4-5℃/min的升温速度烧制1.7-2.5小时使窑温升至960~980℃,使水汽与氧化分解气体产物充分挥发;c.保温阶段:使窑温稳定在960~980℃,保温1-1.5小时,有助于胎、釉中气体的排出;d.强还原阶段:以2-3℃/min的升温速度烧制1.3-2小时使窑温升至1200℃,并且使窑炉气压加大至0.03-0.04Mpa;e.弱还原阶段:再经过1-1.5小时将窑温升至1280℃;f.保温阶段:将窑温控制在1275-1280℃,保温0.5-1小时后止火;g.冷却阶段:采用自然冷却法,待窑温冷却至50-80℃后出窑,烧制完成,即得龙泉青瓷成品。

3.根据权利要求1所述的龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于:所述的步骤①中的成型,使用手工成型或模具成型制作青瓷泥坯。

4.根据权利要求1所述的龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于:所述的步骤④中,使用手工雕刻或模印的方法对青瓷泥坯上的垫烧部位进行装饰。

5.根据权利要求1所述的龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于:所述的步骤⑤中,采用雕刻或修整的方法对垫饼进行处理。

6.根据权利要求1所述的龙泉青瓷垫烧工艺,其特征在于:所述的步骤⑦中,采用喷釉法或浸釉法对青瓷素烧胎进行施釉。

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