[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在具有刻蚀目标层的半导体衬底上形成刻蚀掩模层；

将所述刻蚀掩模层图案化以形成多个刻蚀掩模图案；以及

形成围绕所述刻蚀掩模图案的辅助层，以形成包括所述辅助层和所述刻蚀掩模图案的掩模图案，所述掩模图案具有均匀临界尺寸并且在图案之间具有均匀间隙，

其中，所述刻蚀掩模图案具有不同的临界尺寸和间隙。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个刻蚀掩模图案的步骤包括以下步骤：

在所述刻蚀掩模层上形成光致抗蚀剂图案；以及

使用所述光致抗蚀剂图案将所述刻蚀掩模层图案化，

其中所述光致抗蚀剂图案根据晶片的位置而具有不同的临界尺寸和间隙。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述辅助层由聚合物层形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中，使用包括重复沉积工艺和刻蚀工艺预定次数的沉积-刻蚀-沉积DED工艺来形成所述辅助层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，使用CF₄、CHF₄和O₂气体形成所述辅助层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，根据所述刻蚀掩模图案的高宽比和所述刻蚀掩模图案之间的间隙来控制形成在所述刻蚀掩模图案的侧壁上的所述辅助层的厚度。

7.如权利要求6所述的方法，其中，在具有相对较高的高宽比的刻蚀掩模图案侧壁上形成的辅助层的厚度比在具有相对较低的高宽比的刻蚀掩模图案侧壁上形成的辅助层的厚度大。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：形成围绕所述刻蚀掩模图案的辅助层，以将最后形成的图案控制为具有均匀的临界尺寸和间隙。

9.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在具有刻蚀目标层的半导体衬底上形成硬掩模层和牺牲层；

将所述牺牲层图案化以形成多个牺牲图案；

在所述多个牺牲图案的侧壁上形成间隔件；

去除所述多个牺牲图案；

形成具有均匀间隙的围绕间隔件的辅助层以形成多个掩模图案；以及

通过刻蚀工艺使用所述多个掩模图案将所述硬掩模层图案化，以形成硬掩模图案，

其中，所述多个牺牲图案具有不同的临界尺寸和间隙，以及所述间隔件在图案之间具有不同的间隔。

10.如权利要求9所述的方法，其中，形成所述多个牺牲图案的步骤包括以下步骤：

在所述牺牲层上形成光致抗蚀剂图案；以及

使用所述光致抗蚀剂图案将所述牺牲层图案化，

其中所述光致抗蚀剂图案根据晶片的位置而具有不同的临界尺寸和间隙。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述辅助层由聚合物层形成。

12.如权利要求9所述的方法，其中，使用包括重复沉积工艺和刻蚀工艺预定次数的沉积-刻蚀-沉积DED工艺来形成所述辅助层。

13.如权利要求9所述的方法，其中，使用CF₄、CHF₄和O₂气体来形成所述辅助层。

14.如权利要求9所述的方法，其中，根据所述间隔件之间的间隙来控制形成在所述间隔件的侧壁上的所述辅助层的厚度。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成在具有相对较大间隙的间隔件的侧壁上的辅助层的厚度比形成在具有相对较小间隙的间隔件的侧壁上的辅助层的厚度大。

16.如权利要求9所述的方法，还包括：形成围绕所述多个掩模图案的辅助层，以将最后形成的图案控制为具有均匀的临界尺寸和间隙。