[发明专利]半导体封装以及包括该半导体封装的移动装置有效
| 申请号: | 201310031369.4 | 申请日: | 2013-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN103227159B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 洪志硕;崔光喆;金相源;宋炫静;崔银景 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 以及 包括 移动 装置 | ||
1.一种半导体封装,包括:
第一半导体元件;
第二半导体元件,与所述第一半导体元件相对地间隔开;
连接结构,设置在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间以将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此电连接;以及
保护结构,设置为保护所述连接结构并且将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此接合,
其中所述保护结构包括:
第一材料层,设置为完全覆盖所述连接结构;以及
第二材料层,设置为围绕所述第一材料层,
其中所述第二材料层的侧表面是与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的侧表面相同的平面。
2.如权利要求1所述的半导体封装,其中所述连接结构共同地设置在所述第二半导体元件的一个表面的一个区域上。
3.如权利要求2所述的半导体封装,其中所述第一材料层具有与所述第二半导体元件的所述一个区域实质上相同的面积或者比所述第二半导体元件的所述一个区域大的面积。
4.如权利要求3所述的半导体封装,其中所述第二材料层覆盖所述第二半导体元件的所述一个表面的其中没有设置所述第一材料层的区域。
5.如权利要求1所述的半导体封装,其中当从截面观看时,所述第一材料层完全填充相邻的连接结构之间的空间,延伸到所述相邻的连接结构的外侧,并且与所述第二材料层具有倾斜的接合面。
6.如权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一材料层包括粘合剂膜。
7.如权利要求1所述的半导体封装,其中所述第二材料层不与所述连接结构接触。
8.如权利要求1所述的半导体封装,其中所述第二材料层包括底部填充材料或模制材料。
9.如权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的每个包括贯穿电极,所述贯穿电极贯穿所述第一半导体元件和所述第二半导体元件。
10.一种半导体封装,包括:
第一半导体元件;
第二半导体元件,与所述第一半导体元件相对地间隔开;
粘合剂膜,设置在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间以将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此接合;
绝缘结构,设置为填充所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间的空间,其中所述绝缘结构设置在其中设置所述粘合剂膜的区域外侧;以及
连接结构,设置在所述粘合剂膜中以将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此电连接,
其中所述绝缘结构的侧表面与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的侧表面为实质上相同的平面。
11.如权利要求10所述的半导体封装,其中所述第二半导体元件的一个表面包括其中设置所述连接结构的区域,所述粘合剂膜设置在所述区域中。
12.如权利要求10所述的半导体封装,其中所述绝缘结构不与所述连接结构接触。
13.如权利要求10所述的半导体封装,其中当从截面观看时,所述粘合剂膜完全填充相邻的连接结构之间的空间,延伸到所述相邻的连接结构的外侧,并且与所述绝缘结构具有倾斜的接合面。
14.一种半导体封装,包括:
第一半导体元件;
第二半导体元件;
连接结构,将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电互连;以及
保护结构,包括形成在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间的保持层和机械接合层,
其中所述机械接合层包括围绕所述连接结构并且与所述连接结构接触的粘合剂层并且与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件接触,所述保持层包括设置在所述粘合剂层的周边上但不延伸到所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的边缘之外的绝缘层。
15.如权利要求14所述的半导体封装,其中所述粘合剂层包括环氧树脂和硅填充剂。
16.如权利要求14所述的半导体封装,其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件包括存储器芯片,所述封装被应用于存储器系统中。
17.一种移动装置,包括权利要求14所述的半导体封装。
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