[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造在光生伏打装置中使用的半导体装置的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述半导体装置要布置在所述衬底上；

将所述衬底加热到超过所述衬底的软化点的第一温度；以及

将多晶硅层淀积到所述衬底上。

2.如权利要求1所述的方法，其中提供衬底包括提供凸衬底或者凹衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其中加热包括将所述衬底保持在第一温度持续一停留时间，所述停留时间是将杂质驱逐出所述衬底的足够长的持续时间。

4.如权利要求1所述的方法，其中加热包括将所述衬底加热到高于600摄氏度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是由包括钠的玻璃形成的。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是由金属形成的。

7.如权利要求1所述的方法，其中淀积包括在比所述第一温度冷的第二温度淀积所述多晶硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其中淀积包括在没有布置在所述多晶硅层与所述衬底之间的插入层的情况下将所述多晶硅层直接淀积到所述衬底的上表面上。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上淀积密封层，以及淀积所述多晶硅层包括在所述密封层上淀积所述多晶硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述密封层包括氮化物材料。

11.一种半导体装置，包括：

衬底，在室温下和在高于600摄氏度的温度加热该衬底之前具有非平面的形状，或者在被加热到高于600摄氏度的温度并返回室温之后具有非平面的形状；以及

多晶硅层，布置在所述衬底的上表面上，使得所述多晶硅层与所述衬底邻接。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述衬底是由包括钠的玻璃形成的。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述衬底是由金属形成的。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其中在没有布置在所述多晶硅层与所述衬底之间的插入层的情况下，所述多晶硅层直接与所述衬底邻接。

15.如权利要求11所述的半导体装置，还包括布置在所述衬底与所述多晶硅层之间的密封层。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中所述密封层包括氮化物材料。

17.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述半导体材料是包括所述多晶硅层的晶体管或光生伏打装置中的至少一种。