[发明专利]具有一不平整表面的基板的检视方法无效
| 申请号: | 201310021735.8 | 申请日: | 2013-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN103943524A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
| 发明(设计)人: | 陈泰昌 | 申请(专利权)人: | 源贸科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
| 地址: | 中国台湾高雄市前*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 平整 表面 检视 方法 | ||
技术领域
本发明关于一种检视方法,特别在于增加透视效果的基板的检视方法。
背景技术
请参考图1所示,一般毛玻璃1是于一表面上布满数个不规则的凸起,而形成一粗糙面12(亦称为雾面或不平整表面),以使得当光线14穿透该粗糙面12时产生散射的现象,形成不透明或是半透明的效果。
然而,以半导体产线而言,由于制造过程的结果,一晶圆盘必须贴附在一承载膜的一面,而该承载膜的另一面则具有一不平整的粗糙面,该不平整的粗糙面会使光线产生散射,导致该承载膜如同雾面玻璃一般无法被透视,在制程中无法自该不平整的粗糙面透视该晶圆盘;当需要检视施作于该晶圆盘的一集成电路时,就必须要待切割程序完成后才可以将切割下的芯片分别抽出检视,不仅耗时耗工,且增加损坏风险。
因此,是否有一种检视方法,提供半导体产线可以从该不平整的粗糙面,检视该承载膜后方的的晶圆盘,且不必分别抽出检视,不仅减少检查工序,降低检查成本,还可以降低损坏风险,提高制程良率进而节省生产成本。
发明内容
本发明揭露一种检视方法,特别在于具有一不平整表面的基板的检视方法。根据本发明的一范畴,一种具有不平整表面的基板的检视方法,其可自一基板的一粗糙面检视该基板。
根据本发明的一实施例,一具有不平整表面的基板的检视方法,包括:根据一预设选取规则决定一可透介质,再于一基板的一粗糙面加上该可透介质,以平整该粗糙面来检视该基板。
其中,该选取规则是根据计算该可透介质与该基板的一折射率差异值所设定。
根据本发明的另一实施例,可应用于检视一晶圆盘,该晶圆盘贴附有一具有一粗糙面的承载膜,藉由透视具有该粗糙面的该承载膜来检视该晶圆盘,该检视方法包括:提供一可透介质,再将该可透介质施加于一基板的一粗糙面,以自该粗糙面检视该基板。
其中,该可透介质的一第一折射率与该基板的一第二折射率具有一折射率差异值。
根据本发明的又一实施例,应用于检视晶圆盘的检视方法,其包括:将一基板的一粗糙面浸入或贴合一填充有一可透介质的透明容器之中,再将该基板连动该透明容器进行翻转,以供自该粗糙面检视该基板。
其中,该可透介质的一第一折射率与基板的一第二折射率具有一折射率差异值。
因此,相较传统的检视方法,本发明可应用于检视一晶圆盘,并且能从该承载膜的该粗糙面检视施作于该晶圆盘的该集成电路,以减少检查工序,降低检查成本,避免需待切割之后才将芯片个别抽起而增加芯片毁损的风险,不仅降低制程成本,也增加生产效率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为现有毛玻璃的透光示意图。
图2A为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法的一实施例的流程图。
图2B为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法的另一实施例的流程图。
图3为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法的实施示意图。
图4A为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的一实施例的流程图。
图4B为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的一实施例的流程图。
图4C为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的一实施例的流程图。
图4D为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的一实施例的流程图。
图4E为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的一实施例的流程图。
图5为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视晶圆盘的又一实施例的流程图。
图6为本发明具有一不平整表面的基板的检视方法应用于检视一晶圆盘的实施示意图。
图7A为本发明应用于检视晶圆盘,未添加可透介质的一成像示意图。
图7B为本发明应用于检视晶圆盘,添加有可透介质的另一成像示意图。
图7C为本发明应用于检视晶圆盘,添加有可透介质并覆盖透明物件层的又一成像示意图。
【主要元件符号说明】
1 毛玻璃 12 粗糙面
14 光线 30 可透介质
32 基板 34 粗糙面
36 平整表面 60 可透介质
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





