[发明专利]发光二极管装置及从一发光二极管增加光萃取的方法

权利要求书

1.一种从一发光二极管增加光萃取的方法，其特征在于，是包括：

将一第一n掺杂层沉积在一载具基板上；

将一Si_XN_y光罩沉积在该第一n掺杂层上，其中，该Si_XN_y光罩是具有多个开孔，是使该第一n掺杂层部分暴露；

将一第二n掺杂层沉积在该Si_xN_y光罩上，以便该第二掺杂层是亦沉积在该多个开孔；

将用于发光的一主动层沉积在该第二掺杂层上；以及

将一p掺杂层沉积在该主动层上，以便该Si_xN_y光罩是降低在以下至少其一中的缺陷：该第二n掺杂层、该主动层以及该p掺杂层。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，沉积该Si_xN_y光罩包括临场沉积法。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于，沉积该Si_xN_y光罩包括有机金属化学气相沉积法，是使用Si_nH_2n+2结合NH₃的一衍生物。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，用于沉积该Si_xN_y光罩的一生长温度为5到100℃，其是高于沉积该第一n掺杂层或是该第二n掺杂层的一生长温度。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第一n掺杂层的一厚度是在0.1~10微米。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，选择该Si_xN_y光罩的覆盖范围，以便在4~8微米的一生长厚度之后恢复该第二n掺杂层。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，沉积该Si_xN_y光罩包括经由溅镀以沉积多个个别的Si_XN_y区域。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，沉积该Si_xN_y光罩包括沉积一连续的Si_xN_y层，以及移除部分已沉积的该连续层以形成在该Si_XN_y光罩的多个开孔。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第一n掺杂层、该第二n掺杂层以及该p掺杂层是包括氮化镓。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于，更进一步包括：

移除部分的该p掺杂层及该主动层，以使该第二n掺杂层的一部份暴露；以及将一p电极沉积在该p掺杂层上。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于，更进一步包括：

将一n电极沉积在该第二n掺杂层的该已暴露部分上。

12.根据权利要求1的方法，其特征在于，该Si_xN_y光罩是架构来从该p掺杂层的一上表面增加光萃取。

13.一种发光二极管装置，其特征在于，是包括：

一载具基板；

一第一n掺杂层，是设置在该载具基板上；

一Si_XN_y光罩，是设置在该第一n掺杂层上，其中，该Si_xN_y光罩具有多个开孔以使该第一n掺杂层部分暴露；

一第二n掺杂层，是设置在该Si_xN_y光罩上，以便该第二n掺杂层是亦设置在该多个开孔中；

一主动层，是用以发射光线，该主动层是设置在该第二n掺杂层上；以及

一p掺杂层，是设置在该主动层上，其中，在该Si_xN_y光罩上的一第一缺陷密度是低于在该Si_XN_y光罩下的一第二缺陷密度。

14.根据权利要求13的发光二极管装置，其特征在于，该第一n掺杂层的一厚度是在0.1~10微米范围。