[发明专利]一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法在审
| 申请号: | 201310006610.8 | 申请日: | 2013-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN103027074A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 邵鹏飞 | 申请(专利权)人: | 邵鹏飞 |
| 主分类号: | A01N59/00 | 分类号: | A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00 |
| 代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 腐蚀性 氧化 电位 杀菌 及其 制备 方法 | ||
1.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元;
(2)提供pH值调节单元;
(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合,得到强氧化性溶液,所述强氧化性溶液的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其卤酸根离子的总含量不高于0.5mol/L。
2.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述强氧化性溶液的pH值在5-7间,其氧化还原电位为600-1100mV,其有效氯含量为3-1000mg/L,其卤酸根离子的总含量不高于0.01mol/L。
3.如权利要求1或2所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述卤酸根离子为氯酸根离子、溴酸根离子、碘酸根离子的其中一种或几种。
4.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中还包括:对所述有效氯提供单元进行降低卤酸根离子的总含量的预处理。
5.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中还包括:对所述pH值调节单元进行降低卤酸根离子的总含量的预处理。
6.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中还包括:对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低卤酸根离子的总含量的后处理。
7.如权利要求4或5或6所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述降低卤酸根离子的总含量的处理方法可选自加入卤酸根离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。
8.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述有效氯提供单元含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种,所述有效氯前体物质是指与酸或水反应可以生成有效氯的含氯物质。
9.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述有效氯提供单元为中性或者碱性。
10.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,其特征在于,所述pH值调节单元包含酸性物质、碱性物质或酸性物质与碱性物质的组合。
11.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元;所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂,所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液,所述强氧化性溶液的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其卤酸根离子的总含量不高于0.5mol/L。
12.如权利要求11所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,所述强氧化性溶液的pH值在5-7间,其氧化还原电位为600-1100mV,其有效氯含量为3-1000mg/L,其卤酸根离子的总含量不高于0.01mol/L。
13.如权利要求11或12所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,所述卤酸根离子为氯酸根离子、溴酸根离子、碘酸根离子的其中一种或几种。
14.如权利要求11所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,所述有效氯提供单元含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种,所述有效氯前体物质是指与酸或水反应可以生成有效氯的含氯物质。
15.如权利要求11所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,所述有效氯提供单元为中性或者碱性。
16.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水,其特征在于,所述杀菌水的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其卤酸根离子的总含量不高于0.5mol/L。
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