[发明专利]一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置有效
| 申请号: | 201310003089.2 | 申请日: | 2013-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN103079327A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
| 发明(设计)人: | 宗明成;黄有为;陈浩;李世光;盖洪峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
| 地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 靶源预 整形 增强 紫外光 发生 装置 | ||
1.一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置,其特征在于,所述极紫外光发生装置包括:
一真空腔,所述真空腔用于维持极紫外光传输路径上的真空环境,以减少所述极紫外光在传输路径上的光能吸收损失;
一靶源发生器,所述靶源发生器部分或全部位于所述真空腔内,用于向外输出靶源;
一靶源预整形增强器,所述靶源预整形增强器部分或全部位于所述真空腔内,用于接收所述靶源并对所述靶源进行预整形增强及空间位置调整;
一高能发生器,所述高能发生器部分或全部位于所述真空腔外,用于产生持续时间短、能量密度高的能量;
一能量注入器,所述能量注入器部分或全部位于所述真空腔外,用于将所述高能发生器产生的所述能量注入靶源内,使所述靶源转化受激态等离子体,并向外辐射极紫外光;
一极紫外光收集器,所述极紫外光收集器位于所述真空腔内,用于收集所述极紫外光;
一残余靶材收集器,所述残余靶材收集器部分或全部位于所述真空腔室内,用于收集和储存未被激发的靶材粒子和/或经激发后残留的靶材离子。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述靶源预整形增强器还包括:
一靶源运动轨迹控制器,所述靶源运动轨迹控制器位于所述真空腔内,用于接收所述靶源并控制和稳定所述靶源的运动轨迹;
一靶源整形器,所述靶源整形器位于所述真空腔内,用于对所述靶源进行整形增强及空间位置调整;
一靶源探测器,所述靶源探测器部分或全部位于所述真空腔内,用于动态监测所述靶源的物理特征信息,所述靶源的物理特征信息包括所述靶源的位置信息和/或形状信息;
一极紫外光和/或等离子体探测器,所述极紫外光和/或等离子体探测器部分或全部位于所述真空腔内,用于动态监测所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息,所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息包括所述等离子体的形态信息和/或所述极紫外光的能量信息。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述靶源预整形增强器还包括:
一同步控制器,所述同步控制器部分或全部位于所述真空腔外,用于接收和处理所述靶源探测器及所述极紫外光和/或等离子体探测器的监测信息,并根据所述监测信息控制所述靶源发生器、所述靶源运动轨迹控制器、所述靶源整形器、所述高能发生器及所述能量注入器,以达到优化所述极紫外光输出光能量的目的。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述靶源探测器与所述同步控制器通信连接,用于将所述靶源探测器探测到的所述增强靶源的物理特征信息传输给所述同步控制器。
5.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述极紫外光和/或等离子体探测器与所述同步控制器通信连接,用于将所述极紫外光和/或等离子体探测器探测到的极紫外光和/或等离子体的物理特征信息传输给所述同步控制器。
6.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述同步控制器与所述靶源发生器通信连接,用于根据所述监控信息控制所述靶源发生器的靶源出射速度和/或靶源出射频率。
7.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述同步控制器与所述靶源运 动轨迹控制器通信连接,用于控制所述靶源运动轨迹控制器的气体流速和/或压力和/或气体流向和/或电场强度和/或电场方向和/或磁场强度和/或磁场方向。
8.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述同步控制器与所述靶源整形器通信连接,用于控制所述靶源整形器的气体压力和/或气体施压方向和/或光子冲击力和/或光子冲击方向和/或电荷冲击力和/或电荷冲击方向。
9.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述同步控制器与所述高能发生器通信连接,用于控制所述高能发生器的输出能量及能量输出时刻。
10.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述同步控制器与所述能量注入器通信连接,用于所述能量注入器的注入能量范围及注入能量密度分布。
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