[发明专利]双偏振正交调制器在审
| 申请号: | 201280066816.3 | 申请日: | 2012-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN104054311A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 余国民;乔纳森·马利亚里;埃里克·米勒;宝群·陈;拉卢卡·迪努 | 申请(专利权)人: | 吉高迅公司 |
| 主分类号: | H04L27/18 | 分类号: | H04L27/18 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振 正交 调制器 | ||
1.一种光调制器,包括:
输入平面光波导(PLC),其被配置为通过多个输入界面波导划分和传送相干光;
基底上薄膜聚合物(TFPS)调制器,其包括多个电光E-O聚合物波导,每一个电光E-O聚合物波导分别可操作地耦合来接收来自所述多个输入界面波导的至少一部分的每一个输入界面波导的被划分的相干光,所述E-O聚合物波导的至少一部分被配置成调制所接收到的相干光;以及
输出平面光波导,其包括多个输出界面波导,所述多个输出界面波导的至少一部分被可操作地耦合来接收来自所述多个电光聚合物波导的调制光,所述输出平面光波导被配置成将所接收到的调制光结合到至少一个输出波导。
2.如权利要求1所述的光调制器,其中所述基底上薄膜聚合物调制器包括多个第一相位偏置装置,所述多个第一相位偏置装置被可操作地耦合到所述多个电光聚合物波导的至少一部分。
3.如权利要求2所述的光调制器,其中所述多个第一相位偏置装置包括第一热光(T-O)相位偏置装置,所述第一热光(T-O)相位偏置装置被配置为修改与其对应的所述电光聚合物波导的一部分的折射率。
4.如权利要求1所述的光调制器,其中所述基底上薄膜聚合物调制器的电光聚合物波导中的每一个包括光输入面和光输出面,其中所述光输入面和光输出面通过刻划基底并且横跨所述基底和所述薄膜聚合物传播裂缝来形成。
5.如权利要求1所述的光调制器,其中通过所述多个输入界面波导被传送到所述基底上薄膜聚合物的相干光基本上是TM平面偏振的;
其中TM平面偏振光包括以偏离所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、以及所述输出平面光波导的表面平面90度取向的电横波。
6.如权利要求1所述的光调制器,还包含:
在所述输入平面光波导中包括的或者被可操作地耦合到所述输入平面光波导的TM平面偏振片。
7.如权利要求1所述的光调制器,其中所述输入平面光波导还包含:
输入波导;以及
多个输入界面波导分束器,所述多个输入界面波导分束器被配置为分离来自所述输入波导的输入相干光,以便向每一个所述输入界面波导传送相干光。
8.如权利要求1所述的光调制器,还包含:
偏振旋转器,其被可操作地耦合到所述电光聚合物波导的第一部分,所述偏振旋转器被配置为将来自所述电光聚合物波导的第一部分的TM调制光旋转到TE平面偏振光;
其中TE平面平面偏振光包括以平行所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、以及所述输出平面光波导的表面平面取向的电横波。
9.如权利要求8所述的光调制器,其中所述输出平面光波导还包含:
光合路器,其被可操作地耦合到所述电光聚合物波导的第一部分以及所述电光聚合物波导的第二部分,并且被配置为将来自所述电光聚合物波导的第一部分和所述偏振旋转器的TE平面偏振光与来自所述电光聚合物波导的第二部分的TM平面偏振光结合;以及
输出波导,其被可操作地耦合到所述光合路器并且被配置为承载所结合的TE和TM平面偏振光。
10.如权利要求9所述的光调制器,还包含:
输出光耦合器,其被可操作地耦合到所述输出波导并且被配置为将所结合的TE和TM平面偏振光耦合到光纤或者另一个波导装置。
11.如权利要求1所述的光调制器,还包含:
组装基底;以及
其中在所述组装基底上安装了所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、以及所述输出平面光波导,并且它们相应的波导毗邻所述组装基底且远离所述组装基底安装了各个基底。
12.如权利要求11所述的光调制器,其中所述组装基底被配置为提供在所述基底上薄膜聚合物调制器的波导与所述输入和输出平面光波导之间的竖直对齐。
13.如权利要求11所述的光调制器,其中所述组装基底包含:
大体上1毫米厚的载玻片。
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