[发明专利]机电系统的处理和用于机电系统处理的装备

权利要求书

1.一种形成装置的方法，其包括：

将多个衬底从群集工具的转移腔室转移到所述群集工具的蚀刻腔室中；

使所述衬底暴露于气相蚀刻剂；以及

在使所述衬底暴露于气相蚀刻剂之后，执行以下至少一者：

使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入原子层沉积ALD腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以通过ALD而在所述衬底上形成薄膜，以及

使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入第三腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以在所述衬底上形成自组装单层SAM。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底彼此敞开连通时执行使所述衬底暴露于所述气相蚀刻剂、使所述衬底暴露于气相反应剂以形成所述薄膜和使所述衬底暴露于气相反应剂以形成所述SAM中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底转移到蚀刻腔室中、将所述衬底转移到ALD腔室中和将所述衬底转移到第三腔室中的至少一者包含将所述衬底转移到外腔室和所述外腔室内的内腔室中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述衬底在所述至少一个内腔室内彼此敞开连通时执行对应于转移所述衬底中的所述至少一个的所述使所述衬底暴露于所述气相蚀刻剂、使所述衬底暴露于气相反应剂以形成所述薄膜和使所述衬底暴露于气相反应剂以形成所述SAM。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜通过ALD而形成于所述衬底上且所述SAM形成于所述衬底上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中转移多个衬底包含循序的单一衬底转移。

7.根据权利要求1所述的方法，其中转移多个衬底包含多个衬底的同时转移。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻工艺、所述ALD工艺和所述SAM工艺中的至少一者的处理压力不同于转移压力。

9.根据权利要求1所述的方法，其中转移所述衬底包含将所述衬底从源腔室转移到目的地腔室，其中所述源腔室和所述目的地腔室及所述源腔室与所述目的地腔室之间的任何腔室在转移期间被维持在小于10^-5Torr的压力下。

10.根据权利要求11所述的方法，其中所述群集工具经配置以处置矩形衬底。

11.一种用于形成机电系统装置的方法，其包括：

在群集工具的第一处理腔室中去除牺牲层以在多个衬底上产生机电装置的可移动电极与静止电极之间的间隙；以及

执行以下至少一者：

在所述群集工具的第二处理腔室中通过原子层沉积而将原子层沉积ALD层沉积于所述衬底的所述间隙内，以及

在所述群集工具的第三处理腔室中将自组装单层SAM沉积于所述衬底的所述间隙内。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述衬底彼此敞开连通时执行去除牺牲层、沉积ALD层和沉积SAM中的至少一者。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在定位于外处理腔室内的内腔室内执行去除牺牲层、沉积ALD层和沉积SAM中的至少一者。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述衬底在所述内腔室内彼此敞开连通时执行去除牺牲层、沉积ALD层和沉积SAM中的所述至少一者。

15.根据权利要求11所述的方法，其中去除所述牺牲层包含将XeF₂提供到所述群集工具的所述第一处理腔室，同时将所述群集工具的所述第一处理腔室中的压力维持在约0.1Torr与约5Torr之间。

16.根据权利要求11所述的方法，其中在所述群集工具的所述第二处理腔室中将ALD层形成于所述衬底的所述间隙内，且在所述群集工具的所述第三处理腔室中将所述自组装单层SAM沉积于所述衬底的所述间隙内的所述ALD层上。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在大于10^-2Torr的压力下进行去除所述牺牲层、沉积ALD层和沉积所述SAM中的每一者，同时在使衬底在转移腔室与所述处理腔室中的每一者之间转移时，将连接到所述处理腔室中的每一者的所述群集工具的所述转移腔室维持在小于10^-4Torr的压力。