[发明专利]碰撞室多极杆

权利要求书

1.一种操作碰撞室中的多极杆的方法，该多极杆包括一个第一部分、一个第二部分和一个在其间的中间部分，该方法包括在对应的第一和第二q值下操作该第一和第二部分，该第一和第二q值小于该中间部分处的一个第三q值。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该多极杆具有一个长度并且定义了一个中心轴线，并且该q值通过改变沿该多级杆的长度该多极杆与该中心轴线的径向距离而变化。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该多极杆包括一个第一部分、一个第二部分和一个在其间的中间部分，并且该多极杆的中间部分在径向上比该第一部分和该第二部分更靠近该中心轴线。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，该多极杆包括一个第一部分、一个第二部分和一个在其间的中间部分，进一步包括接收离子到该多极杆的第一部分中，将所接收的离子中的至少一些传输通过具有相对小的内部多极杆半径的该中间部分，并且将该所传输的离子中的至少一些传送出该第二部分。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，该多极杆具有一个长度并且该q值通过改变沿该多极杆的长度施加到该多极杆上的RF电压幅值而变化。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，该多极杆具有一个长度并且该q值通过改变沿该多极杆的长度施加到该多极杆上的RF电压频率而变化。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，进一步包括以在从3MHz至6MHz的范围内、优选4MHz的频率下施加一个对应的RF电压到该多极杆的每个电极上。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括向该碰撞室提供一种目标气体供应至在从0.01Pa至1000Pa、优选1Pa至10Pa的范围内的压力。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，进一步包括施加一个轴向DC场梯度到该多极杆上的步骤。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，进一步包括跟踪该多极杆的靠近在一个第一质量范围内的一个变化的目标质量的低质量截止，然后保持该低质量截止在一个第二、更高的质量范围内相对稳定的步骤。

11.一个碰撞室多极杆，该多极杆包括安置在一个中心轴线附近的多个多极电极，该多极电极中的至少一些具有一个对应的第一部分、第二部分和在其间的中间部分，其中该中间部分在径向上比其对应的第一部分和第二部分更靠近该中心轴线。

12.如权利要求11所述的碰撞室多极杆，其中，该多极电极中的至少一些包括在该多极杆中的一个或多个对应的径向上相对的电极对。

13.如权利要求11或12所述的碰撞室多极杆，其中，该第一部分包括该电极的一个对应的第一端并且该第二部分包括一个对应的第二端，该中间部分包括一个对应的中心部分。

14.如权利要求13所述的碰撞室多极杆，其中，该中心部分在径向上最靠近该中心轴线。

15.如权利要求13或14所述的碰撞室多极杆，其中，该第一和第二端在径向上与该中心轴线最远。

16.如权利要求11至15中任一项所述的碰撞室多极杆，其中，该第一和第二部分处于距该中心轴线4.5mm的径向距离。

17.如权利要求11至16中任一项所述的碰撞室多极杆，其中，这些电极中的至少一些在该中心轴线的方向上是阶梯式的。

18.如权利要求11至17中任一项所述的碰撞室多极杆，其中，这些电极中的至少一些的中间部分包括在该中心轴线的方向上的一个或多个阶梯。

19.如权利要求11至18中任一项所述的碰撞室多极杆，其中，该中间部分包括该电极的一个中心部分，该中心部分具有距该中心轴线3.0mm的径向距离的一个第一阶梯。

20.如权利要求19所述的碰撞室多极杆，其中，该中间部分包括一个位于该第一部分与该第一阶梯之间的第二阶梯和一个位于该第一阶梯与该第二部分之间的一个第三阶梯。

21.如权利要求20所述的碰撞室多极杆，其中，该第二和第三阶梯处于距该中心轴线3.75mm的径向距离。