[发明专利]单片集成的可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种单片集成的、可调谐半导体激光器，其具有光波导，包括衬底上的外延层，并具有

第一反射器和第二反射器，所述第一反射器和所述第二反射器界定

光学增益部分和

非驱动区域，

其中所述反射器中的至少一个是被配置为具有可调谐的反射光谱的分布式布拉格反射器部分，

其中控制电极被至少提供给所述光学增益部分及所述分布式布拉格反射器部分，及

其中所述非驱动区域的长度至少为100μm，且不带有直接接触所述非驱动区域的外延生长侧上的电触头，且所述非驱动区域在所述非驱动区域的所述外延层内不带有反射布拉格光栅。

2.根据权利要求1所述的激光器，其中所述非驱动区域包括无源部分，所述无源部分包括不同于所述增益部分的外延层的至少一个外延层。

3.根据权利要求2所述的激光器，其中所述无源部分内的所述光波导被配置成仅支持单横向光学模式。

4.根据权利要求2或3所述的激光器，其中所述无源部分是无分支的。

5.根据权利要求2、3或4所述的激光器，其中，反射器是被配置用于来自所述激光器的光输出的输出反射器，且所述无源部分位于所述增益部分和所述输出反射器之间。

6.根据权利要求2-5中的任一项所述的激光器，其中所述激光器包括多个无源子部分。

7.根据权利要求2-6中的任一项所述的激光器，其中所述激光器设置在半导体芯片上，所述半导体芯片包括

衬底，

所述衬底上的下层，

过生长层，和

在所述下层和所述过生长层之间的光导层。

8.根据权利要求7所述的激光器，其中所述无源部分包括实质上未掺杂的过生长层。

9.根据权利要求7或8所述的激光器，其中所述无源部分包括实质上未掺杂的下层。

10.根据权利要求7、8或9所述的激光器，其中所述无源部分包括具有相同的半导体掺杂类型的过生长层和下层。

11.根据前述任一项权利要求所述的激光器，其中所述非驱动区域包括所述增益部分和/或相位控制部分的一部分，所述一部分不带有直接接触到所述增益部分和/或所述相位控制部分的外延生长侧的电触头。

12.根据前述任一项权利要求所述的激光器，具有衬底和从所述衬底去除的表面，其中电绝缘层被设置在所述表面上，横跨所述非驱动区域和/或无源部分中的光波导。

13.根据权利要求12所述的激光器，其中电极或电迹线被设置在所述电绝缘层上。

14.根据前述任一项权利要求所述的激光器，其中所述无源部分的长度至少为100μm。

15.根据权利要求14所述的激光器，其中所述无源部分的长度至少为150μm。

16.根据权利要求15所述的激光器，其中所述无源部分的长度至少为200μm。

17.根据权利要求16所述的激光器，其中所述无源部分的长度至少为400μm。

18.根据前述任一项权利要求所述的激光器，其中所述非驱动区域的长度至少为150μm。

19.根据权利要求18所述的激光器，其中所述非驱动区域的长度至少为200μm。

20.根据权利要求19所述的激光器，其中所述非驱动区域的长度至少为400μm。

21.根据前述任一项权利要求所述的激光器，具有由所述第一反射器和所述第二反射器界定的相位控制部分。

22.根据权利要求21所述的激光器，其中，所述相位控制部分具有沿着所述光波导的小于80μm的长度。