[发明专利]具有阈值电压补偿的存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种操作存储器的方法，其包括：

确定在物理上接近于待读取的单元的至少一个侵略者非易失性存储器单元的数据状态；

确定所述待读取的单元的阈值电压；及

至少部分基于所述确定的阈值电压及所述潜在侵略者存储器单元的所述确定的数据状态而确定读取操作的输出。

2.根据权利要求1所述的操作存储器的方法，其中至少部分基于所述确定的阈值电压及所述潜在侵略者存储器单元的所述确定的数据状态而确定读取操作的输出包括：基于由所述侵略者非易失性存储器单元施加的影响引起的所述待读取的单元的所观测阈值电压的预期变化而确定所述输出。

3.根据权利要求1所述的操作存储器的方法，其中所述待读取的单元包括多电平非易失性存储器单元。

4.根据权利要求3所述的操作存储器的方法，其中将所述待读取的单元的所述确定的阈值电压编码为数据的至少一个硬位，且将所述潜在侵略者存储器单元的所述确定的数据状态编码为数据的至少一个软位。

5.根据权利要求4所述的操作存储器的方法，其中根据由所述至少一个软位选择的多个硬位中的一者确定所述读取操作的所述输出。

6.根据权利要求1所述的操作存储器的方法，其中确定所述待读取的单元的所述阈值电压包括：将电压斜坡信号施加到所述存储器单元的控制栅极及在所述待读取的单元改变导电状态时观测所述电压斜坡信号的电压的指示。

7.根据权利要求1所述的操作存储器的方法，其中所述存储器包括存储器芯片、存储器卡、智能电话或固态存储装置。

8.一种存储器，其包括：

多个存储器单元；

阈值电压检测电路，其可操作以检测选定存储器单元的阈值电压；及

输出补偿电路，其可操作以至少部分基于所述确定的阈值电压及由在物理上接近所述选定存储器单元的至少一个侵略者存储器单元施加的预期影响而确定所述选定存储器单元的读取操作的输出。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中由所述至少一个侵略者存储器单元施加的所述预期影响为由所述存储器单元的经编程数据状态引起的阈值电压的预期变化。

10.根据权利要求8所述的存储器，其中所述存储器单元包括多电平存储器单元。

11.根据权利要求9所述的存储器，其中所述输出补偿电路进一步可操作以从数据的至少一个硬位及数据的至少一个软位确定所述输出，数据的所述至少一个硬位对所述待读取的单元的所述确定的阈值电压进行编码，且数据的所述至少一个软位对所述至少一个侵略者存储器单元的经编程数据状态进行编码。

12.根据权利要求10所述的存储器，其中所述输出补偿电路进一步可操作以选择数据的多个硬位中的一者作为输出，所述选择至少部分基于所述至少一个软位。

13.根据权利要求8所述的存储器，其进一步包括可操作以产生电压斜坡信号的电压斜坡信号，且其中确定所述选定单元的所述阈值电压包括将所述电压斜坡信号施加到所述选定单元的控制栅极及在所述待读取的单元改变导电状态时观测所述电压斜坡信号的电压的指示。

14.根据权利要求8所述的存储器，其中所述存储器包括存储器芯片、存储器控制器、存储器卡或固态存储装置。

15.一种编程存储器的方法，其包括：

确定在物理上接近待编程的单元的至少一个潜在侵略者存储器单元的目标状态；及

至少部分基于所述至少一个潜在侵略者存储器单元的所述确定的数据状态而确定所述待编程的单元的目标阈值电压。

16.根据权利要求15所述的编程存储器的方法，其中确定目标阈值是至少部分基于由所述至少一个侵略者存储器单元施加的影响引起的所述待编程的单元的所要观测阈值电压从所述目标阈值电压的预期变化。

17.根据权利要求15所述的编程存储器的方法，其中确定所述待编程的单元的所述目标经编程阈值电压包括：将所述待编程的单元编程到比所要观测阈值电压低的阈值电压，以补偿由所述至少一个潜在侵略者存储器单元的经编程数据状态引起的阈值电压的电位上升。