[发明专利]RFID标签在审
| 申请号: | 201280047245.9 | 申请日: | 2012-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN104025126A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
| 发明(设计)人: | 远藤俊博;石坂裕宣;太田雅彦;田崎耕司;细井博之;角田让;成田博明;佐藤博树 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
| 主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;G06K19/07;H01Q1/40;H01Q7/00;H01Q9/26;H01Q9/27 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | rfid 标签 | ||
1.一种RFID标签,其为具有基材、配置在所述基材上的天线、配置在所述基材上且与所述天线连接的IC芯片、以及密封该IC芯片和天线的密封材料的RFID标签,
所述天线为线圈天线或者环形天线,
包含所述天线的电感L和所述IC芯片的静电容量C而形成的电路的共振频率f0为IC芯片的工作频率或者在其附近,所述IC芯片与所述金属层之间的电磁耦合使所述IC芯片的静电容量实质增加。
2.一种RFID标签,其为具有基材、配置在所述基材上的天线、隔着金属层配置在所述基材上且与所述天线连接的IC芯片、以及密封该IC芯片和天线的密封材料的RFID标签,
所述天线为线圈天线或者环形天线,
包含所述天线的电感L和所述IC芯片的静电容量C而形成的电路的共振频率f0为IC芯片的工作频率或者在其附近,所述IC芯片与所述金属层之间的电磁耦合使所述IC芯片的静电容量实质增加。
3.根据权利要求1或者2所述的RFID标签,IC芯片的工作频率为0.86~0.96GHz,包含天线的电感L和IC芯片的静电容量C而形成的电路的共振频率f0为0.2~2GHz,
或者IC芯片的工作频率为13.56MHz,所述共振频率f0为13.56~29MHz,
或者IC芯片的工作频率为2.45GHz,所述共振频率f0为2~2.45GHz。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的RFID标签,以具有间隙的方式邻接的天线的构成部分提供静电容量,使具有IC芯片和配置在其外周部的天线的构成整体的实质静电容量与所述IC芯片单一物体的静电容量相比增加。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的RFID标签,RFID标签的大小为长13mm以下、宽13mm以下以及高1.0mm以下,或者长4mm以下、宽4mm以下以及高0.4mm以下,或者长2.5mm以下、宽2.5mm以下以及高0.3mm以下,或者长1.9mm以下、宽1.9mm以下以及高0.3mm以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的RFID标签,天线为线圈状。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的RFID标签,工作频带为13.56MHz~2.48GHz。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的RFID标签,工作频带为0.86~0.96GHz。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的RFID标签,密封材料的相对介电常数为2.6以上。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的RFID标签,导线间距离相对于天线的导线宽度为0.2mm比0.2mm~0.05mm比0.05mm的范围。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的RFID标签,通过使用以环氧树脂、碳以及二氧化硅为主要成分的密封材料而提高了耐热性。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的RFID标签,其具有天线、与该天线连接的IC芯片以及密封该IC芯片和天线的密封材料,所述RFID标签如下获得:使用抗蚀剂在不锈钢板上形成图案,通过镀敷在无抗蚀剂部分形成金属,抗蚀剂剥离后搭载IC芯片并电连接所述金属与IC芯片,使用密封材料将所述金属和所述IC芯片密封,仅将不锈钢板剥离,从而得到。
13.根据权利要求12所述的RFID标签,金属为以镍作为主要成分的金属。
14.根据权利要求12或者13所述的RFID标签,通过镀敷形成的金属在RFID标签中心侧比在表层侧更粗。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的RFID标签,金属露出于表面。
16.一种半导体封装,通过将权利要求15所述的RFID标签全都密封,从而使RFID标签的金属不露出于表面。
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