[发明专利]选择性中间馏分加氢处理方法

权利要求书

1.处理烃进料以降低不希望的有机硫化合物浓度的方法，其包括：

将所述烃进料分离成贫芳族化合物的馏分和富含芳族化合物的馏分，所述贫芳族化合物的馏分包含不稳定的含杂原子化合物，所述富含芳族化合物的馏分包含难以处理的含杂原子的芳族化合物；

将所述贫芳族化合物的馏分引入在温和加氢处理条件下操作的第一加氢处理区中以有效降低该贫芳族化合物的馏分的硫含量并回收经第一加氢处理的出料；和

将所述富含芳族化合物的馏分引入在有效降低该富含芳族化合物的馏分的硫含量并回收第二经加氢处理的出料的条件下操作的第二加氢处理区中。

2.根据权利要求1的方法，其进一步包括：

从所述经第二经加氢处理的出料中移除轻质气体，从而产生经加氢处理的液体出料；和

将所述经加氢处理的液体出料引入芳族化合物加氢区中并回收经加氢的烃产物料流。

3.根据权利要求1的方法，其中将所述烃进料分离成贫芳族化合物的馏分和富含芳族化合物的馏分包括：

将所述烃进料和有效量的萃取溶剂送入萃取区中以生产：

萃取液，其包含所述烃进料的芳族化合物含量的主要部分和萃取溶剂的一部分，和

萃余液，其包含所述烃进料的非芳族化合物含量的主要部分和萃取溶剂的一部分；

将至少绝大比例的萃取溶剂与所述萃余液分离并保留所述贫芳族化合物的馏分；

将至少绝大比例的萃取溶剂与所述萃取液分离并保留所述富含芳族化合物的馏分。

4.根据权利要求1的方法，其中所述富含芳族化合物的馏分包含苯并噻吩、苯并噻吩的烷基化衍生物、二苯并噻吩、二苯并噻吩的烷基衍生物、苯并萘并噻吩和苯并萘并噻吩的烷基衍生物。

5.根据权利要求1的方法，其中所述富含芳族化合物的馏分包含芳族含氮化合物，其包括吡咯、喹啉、吖啶、咔唑及其衍生物。

6.根据权利要求1的方法，其中所述烃进料具有约180℃-约450℃的沸点。

7.根据权利要求1的方法，其中第一加氢处理区中的氢气分压小于约40巴。

8.根据权利要求1的方法，其中第一加氢处理区中的操作温度为约300℃-约400℃。

9.根据权利要求1的方法，其中第一加氢处理区中的氢气进料率为约100标准升氢气每升油-约500标准升氢气每升油。

10.根据权利要求1的方法，其中第一加氢处理区中的进料液时空速为约0.5h^-1-约10h^-1。

11.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的氢气分压高于约40巴。

12.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的操作温度为约300℃-约400℃。

13.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的氢气进料率为约100SLt/Lt-约1000SLt/Lt。

14.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的压力为约40巴-约100巴。

15.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中液时空速为约0.1h^-1-约6.0h^-1。

16.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的加氢处理催化剂包括沉积在氧化铝基材上的镍和钼。

17.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的加氢处理催化剂包括沉积在氧化铝基材上的镍、钴和钼。

18.根据权利要求1的方法，其中第二加氢处理区中的加氢处理催化剂包括沉积在氧化铝基材上的钴和钼的组合以及沉积在氧化铝基材上的镍和钼的组合。

19.根据权利要求3的方法，其中所述萃取区为级联型萃取器。

20.根据权利要求3的方法，其中所述萃取区为微分萃取器。

21.根据权利要求2的方法，其中芳族化合物加氢区中的氢气分压为约40巴-约100巴。

22.根据权利要求2的方法，其中芳族化合物加氢区中的操作温度为约250℃-约400℃。