[发明专利]导热性硅脂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及固化后进行高温下的加热熟化时的硬度上升小、伸长率的降低小的导热性硅脂组合物。

背景技术

LSI、IC芯片等电子部件的使用中的发热及由此引起的性能的下降已经众所周知，作为用于解决其的手段，使用了各种放热技术。作为一般的方法，通过在发热部的附近配置冷却构件，使两者密合后，从冷却构件高效率地除热，从而进行放热。此时，如果在发热构件与冷却构件之间存在间隙，则导热性差的空气存在其间，因此导热不高效，因此发热构件的温度没有充分地降低。为了防止这样的现象，以防止空气存在其间为目的，使用了导热率高、对构件的表面具有追随性的放热材料、放热片材、放热脂（专利第2938428号公报、专利第2938429号公报、专利第3952184号公报：专利文献1～3）。

放热脂中有为了使半导体芯片与散热器（heat spreader）牢固地粘接而赋予了粘接性能的放热脂。如果使半导体芯片与散热器之间不存在脂，放热性能不充分，产生显著的性能的降低，因此将半导体芯片与散热器牢固地粘接是重要的。但是，这些材料的粘合力强，但由于使用中的高温下的熟化，常常看到材料的硬度上升。伴随硬度上升，材料的伸长率降低，因此不能追随发热冷却的热历史产生的芯片的变形而剥离，最差的情形下有可能导致芯片的破损。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:专利第2938428号公报

专利文献2:专利第2938429号公报

专利文献3:专利第3952184号公报

发明的内容

发明要解决的课题

本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于提供与现有技术相比，固化后进行高温下的加热熟化时的硬度上升小、伸长率的降低小的导热性硅脂组合物。

用于解决课题的手段

本发明人为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，含有下述（A）～（F）成分的导热性硅脂组合物形成进行高温下的加热熟化时的硬度上升小、伸长率的降低小的固化物，完成了本发明。

因此，本发明提供导热性硅脂组合物，其含有：

（A）在1分子中具有至少2个烯基、25℃的运动粘度为5000～100000mm²/s的有机聚硅氧烷：100质量份、

（B）下述通式（2）所示的单末端有3个官能团的水解性甲基聚硅氧烷：10～90质量份、

[化1]

（R²为碳数1～6的烷基，b为5～100的整数。）

（C）具有10W/m·℃以上的导热率的导热性填充材料：500～1,500质量份、

（D）1分子中含有2个以上5个以下的与硅原子直接键合的氢原子（Si-H基）的有机氢聚硅氧烷：{Si-H基的个数｝/｛（A）成分的烯基的个数｝成为1.7～2.8的配合量、

（E）1分子中具有三嗪环和至少1个烯基的粘合助剂：0.05～0.5质量份、

（F）选自铂和铂化合物的催化剂：以铂原子计，成为（A）成分的0.1～500ppm的配合量。

这种情况下，相对于（A）成分100质量份，可含有0.05～0.5质量份的（G）选自炔属化合物、氮化合物、有机磷化合物、肟化合物和有机含氯化合物的控制剂。

此外，作为导热性硅脂组合物，优选如下的导热性硅脂组合物：对于150℃下90分钟固化后的片材，按照JIS K6251中记载的方法测定时的切断时伸长率为100%以上，成型为2mm厚的片材、在150℃下进行1000小时熟化后的切断时伸长率为80%以上。

发明的效果

本发明的导热性硅脂组合物，高温加热时的硬度上升小，伸长率的减小得到抑制。

具体实施方式

本发明的导热性硅脂组合物含有

（A）含有烯基的有机聚硅氧烷、

（B）水解性甲基聚硅氧烷、

（C）导热性填充材料、

（D）有机氢聚硅氧烷、

（E）含有三嗪环和烯基的粘合助剂、

（F）铂系催化剂

作为必要成分，根据需要还含有（G）加成反应控制剂。

（A）成分

构成本发明的（A）成分的有机聚硅氧烷在1分子中具有至少2个与硅原子直接键合的烯基，能够使用下述式（1）所示的有机聚硅氧烷。