[发明专利]垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材

权利要求书

1.一种合金，其是垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金，所述合金包含如下成分：

-选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上；

-W和Sn中的1种或2种，其中，W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换；

-根据需要而选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上；

-根据需要含有的Ni和Cu中的1种或2种；以及

-余量含有Co和Fe，

并且，以at.％计满足下式：

(1)6≤Ti％+Zr％+Hf％+Nb％+Ta％+B％／2≤24；

(2)Zr％+Hf％≤14；

(3)3≤W％+Sn％≤19；

(4)0.20≤Fe％／(Fe％+Co％)≤0.90；

(5)3≤W％+Sn％+V％+Mn％≤19，其中，V％+Mn％可以为0；

(6)0≤Al％+Cr％+Mo％+Si％+P％+C％+Ge％≤9；和

(7)0≤Ni％+Cu％≤5。

2.根据权利要求1所述的合金，其中，W和Sn中的1种以上的一部分或全部被V和Mn中的1种以上置换，由此满足0<V％+Mn％。

3.根据权利要求1或2所述的合金，其中，所述合金包含选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上，由此满足0<Al％+Cr％+Mo％+Si％+P％+C％+Ge％≤9。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的合金，其中，所述合金包含Ni和Cu中的1种或2种，由此满足0<Ni％+Cu％≤5。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的合金，其中，所述合金仅由以下构成：

-选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上；

-W和Sn中的1种或2种，其中，W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换；

-根据需要而选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上；

-根据需要含有的Ni和Cu中的1种或2种；以及

-余量为Co和Fe。

6.一种溅射靶材，其包含权利要求1～5中的任意一项所述的合金。