[发明专利]具有双应力衬垫的非对称静态随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种固态存储器单元，其包括：

包括反相器和传输门晶体管的第一反相器电路，其具有用于将其反相器与其传输门晶体管之间的第一存储节点耦合到第一位线的输出端，并具有输入端，所述第一反相器电路由一个或更多p沟道金属氧化物半导体晶体管即MOS晶体管和一个或更多n沟道MOS晶体管构成，其中所述p沟道MOS晶体管是用压缩衬垫层构造的，而所述n沟道MOS晶体管是用伸展衬垫层构造的；以及

包括反相器和传输门晶体管的第二反相器电路，其具有用于将其反相器与其传输门晶体管之间的第二存储节点耦合到第二位线的输出端，所述第二存储节点耦合到所述反相器的输入端，所述第二反相器电路具有耦合到所述第一反相器电路中的所述第一存储节点的输入端，所述第二反相器电路由一个或更多p沟道MOS晶体管和一个或更多n沟道MOS晶体管构成；

其中所述第二反相器电路的所述MOS晶体管中的一个是用具有与所述第一反相器电路中的对应MOS晶体管的应力特性相反的应力特性的衬垫层构造的。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一反相器电路的所述反相器包括：

用伸展衬垫层构造的n沟道MOS驱动晶体管，其源极耦合到基准电压，其栅极连接到所述反相器电路的所述输入端，并且其漏极耦合到所述第一存储节点；以及

用压缩衬垫层构造的p沟道MOS晶体管，其漏极耦合到所述第一存储节点，其栅极连接到所述反相器电路的所述输入端，并且其源极耦合到电源电压；

其中所述第二反相器电路的所述反相器包括：

n沟道MOS驱动晶体管，其源极耦合到基准电压，其栅极连接到所述反相器电路的所述输入端，并且其漏极耦合到所述第一存储节点；以及

p沟道MOS负载晶体管，其漏极耦合到所述第一存储节点，其栅极连接到所述反相器电路的所述输入端，并且其源极耦合到电源电压。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第二反相器电路的所述p沟道MOS负载晶体管和所述n沟道MOS驱动晶体管都是用压缩衬垫层构造的。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述第一反相器电路的所述传输门晶体管包括用伸展衬垫层构成的n沟道MOS晶体管，该n沟道MOS晶体管的源极/漏极路径耦合在所述第一存储节点和所述第一位线之间并且其栅极用来接收字线信号；

并且其中所述第二反相器电路的所述传输门晶体管包括用压缩衬垫层构成的n沟道MOS晶体管，该n沟道MOS晶体管的源极/漏极路径耦合在所述第二存储节点和所述第二位线之间并且其栅极用来接收所述字线信号。

5.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第一反相器电路的所述传输门晶体管包括用伸展衬垫层构成的n沟道MOS晶体管，该n沟道MOS晶体管的源极/漏极路径耦合在所述第一存储节点和所述第一位线之间并且其栅极用来接收字线信号；

并且其中所述第二反相器电路的所述传输门晶体管包括用压缩衬垫层构成的n沟道MOS晶体管，该n沟道MOS晶体管的源极/漏极路径耦合在所述第二存储节点和所述第二位线之间并且其栅极用来接收所述字线信号。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述压缩衬垫层和所述伸展衬垫层中的每一个均包含氮化硅。

7.一种在主体的半导体表面上的集成电路中构造存储器阵列的方法，所述存储器阵列包括按行和列布置的多个存储器单元，每一行的存储器单元都与字线相关联，每一列的存储器单元都与第一和第二位线相关联，每个存储器单元存储在分别由第一和第二交叉耦合反相器的输出端驱动的互补的第一和第二存储节点处表示的数据状态，所述方法包括：

在所述表面上限定n型区和p型区；

形成覆盖每个所述存储器单元的选定位置的栅电极，每个存储器单元内的所述栅电极用作每个存储器单元内的晶体管的栅极；

针对每个所述存储器单元，在多个p沟道晶体管的相对两侧上形成p型源极区和漏极区；

针对每个所述存储器单元，在多个n沟道晶体管的相对两侧上形成n型源极区和漏极区；

针对每个所述存储器单元，在所述多个p沟道晶体管和至少一个所述n沟道晶体管的所述源极区和漏极区以及栅极上方形成压缩衬垫层；以及

针对每个所述存储器单元，在其它所述n沟道晶体管上方形成伸展衬垫层。