[发明专利]研磨用组合物有效
| 申请号： | 201280029023.4 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103620747B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 大和泰之;高桥洋平;赤塚朝彦 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/321;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
1.一种研磨用组合物，其用于研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物，所述研磨用组合物包含具有亲水性基团的水溶性聚合物、和由二氧化硅形成的磨料粒，所述水溶性聚合物为聚甘油、戊醇、聚氧乙烯亚烷基二聚甘油醚、或单油酸聚氧乙烯(6)脱水山梨糖醇酯，所述磨料粒的平均缔合度为1.2～4；
其中所述研磨对象物使用所述研磨用组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角，低于所述研磨对象物用除其中不包含水溶性聚合物外具有与所述研磨用组合物相同组成的另一组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角,
且所述研磨对象物使用所述研磨用组合物研磨后，所述疏水性含硅部分的水接触角为57°以下。
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中所述水溶性聚合物具有基于每分子为三个以上的亲水性基团。
3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中所述疏水性含硅部分由多晶硅制成。
4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中所述研磨用组合物用于研磨除去所述研磨对象物的疏水性含硅部分和亲水性含硅部分。
5.一种研磨用组合物，其包含水溶性聚合物和具有硅烷醇基团的磨料粒，其中，所述水溶性聚合物为聚氧乙烯亚烷基二聚甘油醚或聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯，
当所述研磨用组合物在25℃温度下的环境中静置一天时，所述水溶性聚合物以基于1μm2所述磨料粒的表面积为5,000个以上的分子在所述磨料粒上吸附。
6.根据权利要求5所述的研磨用组合物，其中所述研磨用组合物用于研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物。
7.根据权利要求6所述的研磨用组合物，其中所述疏水性含硅部分由多晶硅制成。
8.根据权利要求1至7任一项所述的研磨用组合物，其中所述磨料粒由其上固定有有机酸的二氧化硅形成。
9.根据权利要求8所述的研磨用组合物，其中所述研磨用组合物的pH值为6以下。
10.一种研磨方法，其使用根据权利要求1至9任一项所述的研磨用组合物研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物。
11.一种基板的制造方法，其包含使用根据权利要求1至9任一项所述的研磨用组合物研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
