[发明专利]基于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置、使用该制造装置的SiC单晶体的制造方法以及用于该制造装置的坩埚

权利要求书

1.一种制造装置，其是利用溶液生长法的SiC单晶体的制造装置，

该制造装置包括：

籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；以及

坩埚，其用于容纳SiC溶液，

上述坩埚包括：

主体，其包含第1筒部和配置于上述第1筒部的下端部的底部；

中盖，其配置于上述主体内的上述SiC溶液的液面的上方、且是上述第1筒部内，该中盖具有使上述籽晶轴穿过的第1通孔；以及

上盖，其配置于上述中盖的上方，且具有使上述籽晶轴穿过的第2通孔。

2.根据权利要求1所述的制造装置，其中，

上述中盖还包括第2筒部，该第2筒部从上述中盖的下表面向下方延伸，上述籽晶轴穿过该第2筒部的内部，且该第2筒部具有与上述SiC溶液的液面分离配置的下端。

3.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，

上述中盖的上表面随着从外周侧朝向内周侧去而降低。

4.一种坩埚，其用于包括能够在下端安装SiC晶种的籽晶轴的溶液生长法用SiC单晶体的制造装置，且能够容纳SiC溶液，

该坩埚包括：

主体，其包含第1筒部和配置于上述第1筒部的下端部的底部；

中盖，其配置于上述筒部内，具有使上述籽晶轴穿过的第1通孔；以及

上盖，其配置于上述中盖的上方，具有使上述籽晶轴穿过的第2通孔。

5.根据权利要求4所述的坩埚，其中，

上述中盖进一步从上述中盖的下表面向下方延伸，且在内部具备使上述籽晶轴穿过的第2筒部。

6.根据权利要求4或5所述的坩埚，其中，

上述中盖的上表面随着从外周侧朝向内周侧去而降低。

7.一种制造方法，其是基于溶液生长法的SiC单晶体的制造方法，

该制造方法包括：

准备该制造装置的工序，该制造装置包括在上下方向上延伸的籽晶轴；

准备坩埚的工序，该坩埚包括：主体，其具备筒部和配置于上述筒部的下端部的底部；中盖，其配置于上述主体内部，且具有使上述籽晶轴穿过的第1通孔；以及上盖，其配置于上述中盖的上方，且具有使上述籽晶轴穿过的第2通孔；

在上述籽晶轴的下端面安装SiC晶种的工序；

加热容纳有原料的上述坩埚而生成SiC溶液的工序；

将安装于上述籽晶轴的上述下端面的上述SiC晶种浸渍到上述SiC溶液工序；

在上述SiC晶种上培养SiC单晶体的工序；以及

在生成上述SiC溶液之前，以所生成的上述SiC溶液的液面位于上述中盖的下方的方式将上述SiC溶液的原料容纳于上述坩埚的工序。