[发明专利]多层电子器件

权利要求书

1.多层电子器件(10; 20; 120; 230; 330)，其包含有机聚合物层(1; 102; 202; 302; 308)和靠着该聚合物层设置的电极(3; 403; 503)，该电极(3; 403; 503)由透明薄层堆叠体构成，该透明薄层堆叠体包含n个薄金属层(31; 431; 531)，尤其基于银或者含银金属合金的薄层，和(n+1)个抗反射涂层((M_i)_1≤i≤n+1)的交替，其中n≥1，其中每个薄金属层(31; 431; 531)被设置在两个抗反射涂层(M_i)之间，特征在于该电极(3; 403; 503)包含：

- 在末端抗反射涂层(M₁)中的对湿气和气体的第一阻挡堆叠体(B₁)，该末端抗反射涂层(M₁)在该电极的构成堆叠体的沉积方向上被设置在该n个薄金属层下方，其中第一阻挡堆叠体(B₁)包含至少四个具有交替较低和较高密度的层(32-35; 532-535)，

和/或

- 在末端抗反射涂层(M_n+1)中的对湿气和气体的第二阻挡堆叠体(B₂)，该末端抗反射涂层(M_n+1)在该电极的构成堆叠体的沉积方向上被设置在n个薄金属层上方，其中第二阻挡堆叠体(B₂)包含至少三个具有交替较低和较高密度的层(537-539)。

2.根据权利要求1的器件，特征在于在该电极的构成堆叠体的沉积方向上，被设置在薄金属层(31; 431; 531)下方的每个抗反射涂层((M_i)_1≤i≤n))包含，作为与该薄金属层下邻的层，基于结晶氧化物，尤其基于氧化锌的润湿层(35; 433; 535)。

3.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于在该电极的构成堆叠体的沉积方向上，被设置在薄金属层(31; 431; 531)上方的每个抗反射涂层((M_i)_2≤i≤n+1)包含，作为与该薄金属层下邻的层，氧化或者非氧化的上阻隔薄金属层(36; 436; 536)。

4.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于该电极(3; 403; 503)的至少一个阻挡堆叠体(B₁, B₂)包含至少三个连续的具有交替较低和较高结晶度的薄层(32-35; 437-439; 532-535; 537-539)，较高结晶度的层的结晶度与该较低结晶度的层的结晶度的比率大于或等于1.1。

5.根据权利要求4的器件，特征在于所述的至少三个连续层(32-35; 437-439; 532-535; 537-539)交替地为无定形状态和至少部分结晶状态。

6.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于该电极的该或每个阻挡堆叠体(B₁, B₂)的构成层具有交替较低的和较高的折光指数。

7.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于对于该电极的该或每个阻挡堆叠体(B₁,B₂)，该阻挡堆叠体的每个薄层具有低于200纳米，优选低于100纳米的几何厚度。

8.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于对于该电极的或每个阻挡堆叠体(B₁,B₂)，该阻挡堆叠体的每个薄层是掺杂或非掺杂的氧化物、氮化物或者氧氮化物层。

9.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于该聚合物层包含靠着该电极设置的有机或者有机-无机混合界面层。

10.根据前述权利要求任一项的器件，特征在于聚合物层(1; 308)是该器件的基材。

11.根据权利要求1-9任一项的器件，特征在于该聚合物层(102; 202; 302)是与该器件的基材(101; 201; 301)粘结的层压中间层。