[发明专利]于裸露硅表面而非氧化物表面上的聚合物薄膜的选择性沉积

权利要求书

1.一种沉积方法，包括以下步骤：

由含碳气体产生的含碳离子选择性地沉积含碳层于基板的硅区上，其中所述基板包括至少一个硅区和至少一个氧化物区；及

选择性地将所述含碳离子注入所述基板的所述氧化物区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳气体包括具有5个或更少碳原子的分子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中腔室压力是维持在约5毫托与约15毫托之间。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：以稀释气体稀释所述含碳气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含碳气体与所述稀释气体的比例是在约1：20与约1：0.5之间。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：电偏压所述基板，其中所述电偏压被提高以增加所述含碳离子注入所述氧化物层的深度。

7.一种沉积方法，包括以下步骤：

由含碳气体产生的含碳离子选择性地沉积含碳层于基板的硅区上，其中所述基板包括至少一个硅区和至少一个氧化物区；及

将所述含碳离子的至少一部分注入所述硅区与所述氧化物区两者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述含碳气体包括具有5个或更少碳原子的分子。

9.根据权利要求7所述的方法，其中腔室压力可被维持在约5毫托与约15毫托之间。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：电偏压所述基板。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电偏压利用RF功率源。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电偏压被控制在一水平下，在所述水平下，由处理气体解离的离子被朝向所述基板表面加速，且以所需离子浓度将所述离子注入所述基板的顶表面以下的所需深度处。

13.根据权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：以稀释气体稀释所述含碳气体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述含碳气体与所述稀释气体的比例是在约1：20与约1：0.5之间。

15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括以下步骤：改变等离子体掺杂工艺的RF源功率以控制碳的沉积或注入的量，其中所述RF源功率的提高导致沉积或注入碳的量的增加。