[发明专利]制造具有选择性发射器的光伏电池的方法

权利要求书

1.一种制造具有选择性发射器的光伏电池的方法，包括下述步骤：

-在n-型或p-型硅衬底（1）上沉积包括n型掺杂剂的抗反射层（7），所述沉积在能够加速n型掺杂剂原子在所述衬底（1）内的扩散的化合物的存在下进行；

-通过所述抗反射层（7）的至少一个区域的n掺杂剂的局部扩散来过掺杂所述衬底（1）的至少一个区域，以形成至少一个n⁺⁺过掺杂的发射器（6）；

-进行以下沉积操作：

○在所述至少一个n⁺⁺过掺杂的发射器（6）上沉积至少一种n-型导

电材料（3）；及

○在所述衬底（1）的与包括所述抗反射层（7）的表面相反的表面上沉积至少一种p-型导电材料（4）；

-通过退火同时形成n触点（3）和p触点（4）及n⁺发射器（5），所述退火能够在所述衬底内扩散来自所述抗反射层（7）的n掺杂剂。

2.如权利要求1所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述抗反射层（7）由氮化硅制得。

3.如权利要求1或2所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述抗反射层（7）是磷掺杂的。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于能够加速所述n型掺杂剂原子扩散的所述化合物是氨，NH₃。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述至少一个n⁺⁺发射器（6）通过激光掺杂形成，有利地通过脉冲激光辐射形成，仍更有利地通过具有可以选自从紫外光到红外光范围内的波长的脉冲激光辐射形成。

6.如权利要求5所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述激光脉冲持续10ps到1μs。

7.如权利要求5至6中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述激光具有实质上等于515nm的波长。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述n-型导电材料或所述p-型导电材料通过丝网印刷被沉积。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于在850℃到1050℃之间的温度下且在2,000到6,500mm/min之间的通过速度下，通过在红外炉内退火同时形成所述n⁺发射器（5）以及触点（3）和触点（4）。

10.如权利要求1至9中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述衬底（1）具有50微米到500微米之间的厚度。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的形成具有选择性发射器的光伏电池的方法，其特征在于所述抗反射层（7）具有20纳米到100纳米之间的厚度。