[发明专利]干法蚀刻方法及器件制造方法

权利要求书

1.一种对层叠在介电材料上的导电材料进行蚀刻的干法蚀刻方法，其特征在于包括：

使用包括卤素气体和氧气的混合气体作为蚀刻气体，所述混合气体中所述氧气的混合比大于等于30%，且小于等于60%；

在将所述混合气体提供到腔室中并生成等离子体时，将所述腔室中的气压设定在大于等于1Pa且小于5Pa的范围内；以及

将频率大于等于800kHz且小于4MHz的偏置电压作为偏置电压施加到蚀刻材料并执行蚀刻，其中在所述蚀刻材料中，所述导电材料层叠在所述介电材料上。

2.根据权利要求1所述的干法蚀刻方法，其特征在于所述卤素气体是氯气。

3.根据权利要求1或2所述的干法蚀刻方法，其特征在于所述介电材料是铁电体材料，并且所述导电材料是贵金属材料。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的干法蚀刻方法，其特征在于所述介电材料包括PZT、PLZT或PZTN。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的干法蚀刻方法，其特征在于所述导电材料包括Ru、Ir和Pt中的任意金属材料，或者RuOx、IrOx和PtOx中的任意金属氧化物，或者这些材料的组合，所述金属氧化物是所述金属材料的氧化产物，其中，x指代正数。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的干法蚀刻方法，其特征在于：

所述氧气在所述混合气体中的混合比在40%±5%的范围中；

所述气压在3Pa±0.5Pa的范围中；并且

所述偏置电压的频率在1MHz±100kHz的范围中。

7.一种器件制造方法，其特征在于包括：通过使用根据权利要求1至6中的任意一项所述的干法蚀刻方法进行蚀刻来对所述导电材料进行构图；以及制造具有所述导电材料制成的电极与所述介电材料层叠的结构的器件。

8.根据权利要求7所述的器件制造方法，其特征在于所述器件是致动器，该致动器具有所述介电材料位于第一电极与第二电极之间的结构。

9.一种器件制造方法，其特征在于包括：

在衬底上以第一导电材料形成第一电极的第一电极形成步骤；

在所述第一电极上层叠介电材料的介电层形成步骤；

在所述介电材料上以第二导电材料形成第二电极的第二电极形成步骤；以及

使用根据权利要求1至6中的任意一项所述的干法蚀刻方法对形成所述第二电极的第二导电材料进行蚀刻并对所述第二电极进行构图的构图步骤。