[发明专利]用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物以及纹理蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，按重量百分比计，包括：

碱性化合物：0.1%至20%；

多糖10^-9%至10%；

硅化合物：10^-9%至10%的硅化合物；和

水：余量至100%。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述碱性化合物选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和四乙基氢氧化铵中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述多糖选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述多糖选自纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、褐藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精、羟丙基-β-环糊精、甲基-β-环糊精、右旋糖酐、葡聚糖硫酸酯钠、皂角苷、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、裂褶多醣、和其金属盐中的至少一种葡聚糖化合物。

5.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述多糖具有5000至1000000的平均分子量。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述硅化合物选自：

二氧化硅细粉；Na₂O稳定的二氧化硅胶体溶液；K₂O稳定的二氧化硅胶体溶液；酸溶液稳定的二氧化硅胶体溶液；NH₃稳定的二氧化硅胶体溶液；利用选自乙醇、丙醇、乙二醇、甲乙酮和甲基异丁酮中的至少一种有机溶剂稳定的二氧化硅胶体溶液；液体硅酸钠；液体硅酸钾；和液体硅酸锂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中，还包括选自全氟烷基羧酸盐、全氟烷基磺酸盐、全氟烷基硫酸盐、全氟烷基磷酸盐、全氟烷基胺盐、全氟烷基季铵盐、全氟烷基羧基甜菜碱、全氟烷基磺基甜菜碱、氟烷基聚氧乙烯和全氟烷基聚氧乙烯中的至少一种氟表面活性剂，上述各种氟表面活性剂在其各个烷基上具有1至30个碳原子。

8.一种晶体硅片的纹理蚀刻方法，包括：将晶体硅片浸泡在根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻溶液组合物中、在所述晶体硅片上喷涂所述组合物，或者将硅片浸泡在所述组合物中然后在所述硅片上喷涂所述组合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在50℃至100℃的温度下执行浸泡、喷涂、或者浸泡和喷涂持续30秒到60分钟。