[发明专利]复合层叠陶瓷电子部件

权利要求书

1.一种复合层叠陶瓷电子部件，具备被层叠的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层，

所述低介电常数陶瓷层和所述高介电常数陶瓷层均由玻璃陶瓷构成，该玻璃陶瓷包含：

(1)由MgAl₂O₄以及Mg₂SiO₄当中的至少一方构成的第一陶瓷；

(2)由BaO、RE₂O₃以及TiO₂构成的第二陶瓷，其中RE为稀土类元素；

(3)分别包含44.0～69.0重量％的RO、14.2～30.0重量％的SiO₂、10.0～20.0重量％的B₂O₃、0.5～4.0重量％的Al₂O₃、0.3～7.5重量％的Li₂O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃，其中R为从Ba、Ca以及Sr中选出的至少一种碱土类金属；和

(4)MnO，

在所述低介电常数陶瓷层中，

包含47.55～69.32重量％的所述第一陶瓷，

包含6～20重量％的所述玻璃，

包含7.5～18.5重量％的所述MnO，

作为所述第二陶瓷而分别包含0.38～1.43重量％的BaO、1.33～9.5重量％的RE₂O₃、以及0.95～6.75重量％的TiO₂，

相对介电常数为15以下，

在所述高介电常数陶瓷层中，

包含1～15重量％的所述第一陶瓷，

包含3～15重量％的所述玻璃，

包含2.3～10重量％的所述MnO，

作为所述第二陶瓷而分别包含2.5～15.7重量％的BaO、24.6～65.3重量％的RE₂O₃、以及11.2～36.4重量％的TiO₂，

相对介电常数为30以上。

2.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述低介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含有量G_L以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含有量G_H满足1.0≤G_L／G_H≤2.0的条件。

3.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述低介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含有量M_L以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含有量M_H满足1.5≤M_L／M_H≤3.6的条件。

4.根据权利要求1所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述低介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含有量G_L以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述玻璃的含有量G_H满足1.0≤G_L／G_H≤2.0的条件，并且，

所述低介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含有量M_L以及所述高介电常数陶瓷层中包含的所述MnO的含有量M_H满足1.5≤M_L／M_H≤3.6的条件。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述低介电常数陶瓷层还包含3.0～20.0重量％的Mg₂Al₄Si₅O₁₈以及BaAl₂Si₂O₈当中的至少一方。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述低介电常数陶瓷层还包含0.23重量％以下的CuO。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的复合层叠陶瓷电子部件，其中，

所述高介电常数陶瓷层还包含1.2重量％以下的CuO。