[发明专利]新的化合物半导体及其用途

权利要求书

1.一种化合物半导体，由以下化学式1表示：

化学式1

In_xM_yCo_4-mA_mSb_12-n-z-pX_nQ'_pTe_z

其中，在化学式1中，M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n≤7；0<z≤2；0<p≤2。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<x≤0.25。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<x+y≤1。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<n+z<9。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<n+z+p≤9。

6.一种化合物半导体的制备方法，包括：

形成含有In、Co、Sb和Te，以及选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一种，以及选自O、S、Se、In的氧化物、Co的氧化物、Sb的氧化物和Te的氧化物中的至少一种的混合物；和

热处理所述混合物，从而制备权利要求1所限定的化合物半导体。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述混合物还含有选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述混合物还含有选自Si、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤在400℃至800℃下进行。

10.根据权利要求6所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤包括至少两个热处理阶段。

11.一种热电转换装置，其包括权利要求1至5中任意一项所限定的化合物半导体。

12.一种太阳能电池，其包括权利要求1至5中任意一项所限定的化合物半导体。