[发明专利]In2O3－SnO2－ZnO系溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，

各元素的原子比满足下述式（1）～（4）；

X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm

0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85  （1）

0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40  （2）

0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70  （3）

0.70≤In/（In＋X）≤0.99       （4）

式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

溅射靶中所含的以In₂O₃表示的方铁锰矿结构化合物在X射线衍射（XRD）中的最大峰强度（I_（In2O3））与包含所述元素X和氧的化合物的最大峰强度（I_ｘ）满足下述式（5）

I_ｘ/I_（In2O3）≤0.15  （5）。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

溅射靶中所含的以Zn₂SnO₄表示的尖晶石结构化合物在X射线衍射（XRD）中的最大峰强度（I_{（Zn2SnO4）}）与包含所述元素X和氧的化合物的最大峰强度（I_ｘ）满足下述式（6）

I_ｘ/I_{（Zn2SnO4）}≤0.15  （6）。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，

包含元素X和氧的化合物的平均晶粒直径为10μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其中，

在所述溅射靶中，除去烧成面后的靶表面部与从该表面用平面磨床研磨掉2mm的部分的利用CIE1976空间测定的L^＊a^＊b^＊色差（ΔE^＊）为3.0以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，其中，

电阻率为30mΩcm，相对密度为90％以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其中，

元素X为Zr。

8.一种权利要求1～7中任一项所述的溅射靶的制造方法，其包括：

工序A，将氧化铟粉与元素X的氧化物混合、粉碎；

工序B，将所述工序A中得到的混合粉在700～1200℃的温度下热处理；以及

工序C，向所述工序B中得到的热处理粉中，加入氧化锡粉及氧化锌粉并混合粉碎。

9.一种氧化物薄膜，其使用权利要求1～7中任一项所述的溅射靶制作。

10.一种薄膜晶体管，其使用了权利要求9所述的氧化物薄膜。