[发明专利]光电子器件和铜络合物作为掺杂材料以用于对层进行掺杂的应用

权利要求书

1.一种光电子器件（500，600，700），具有：

●湿法化学处理的空穴注入层（508）；和

●与湿法化学处理的所述空穴注入层（508）相邻的掺杂有掺杂材料的附加层（510），其中所述掺杂材料具有铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有根据式I的化学结构：

其中E₁和E₂分别彼此无关地是下述元素的一种：氧、硫或硒，并且R选自：氢或者取代的或未取代的、枝化的、线状的或环状的碳氢化合物。

2.根据权利要求1所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述铜络合物是铜（I）-五氟苯甲酸。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述铜络合物作为掺杂材料引入基体材料中。

4.根据权利要求3所述的光电子器件（500，600，700），其中所述基体材料具有1-TNATA（4,4’,4’’-三（N-（1-萘基）-N-苯基-氨基）三苯胺）。

5.根据权利要求1至4之一所述的光电子器件（500，600，700），还具有：

有机层结构（100，200）以用于将第一电荷类型的载流子和第二电荷类型的载流子分离。

6.根据权利要求5所述的光电子器件（500，600，700），其中所述有机的层结构（100，200）是电荷生成层序列（100，200）。

7.根据权利要求5或6所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述有机的层结构（100，200）具有n型掺杂的有机半导体层（102）。

8.根据权利要求7所述的光电子器件（500，600，700），

其中在所述空穴注入层（104）和所述n型掺杂的有机半导体层（102）之间设置有不导电的中间层（202）。

9.根据权利要求7或8所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述空穴注入层（104）具有朝向所述n掺杂的有机半导体层（102）的掺杂梯度。

10.根据权利要求9所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述空穴注入层（104）的掺杂朝向所述n掺杂的有机半导体层（102）增大。

11.根据权利要求6至10之一所述的光电子器件（500，600，700），

包括具有所述有机的层结构（100，200）的层堆。

12.根据权利要求11所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述层堆具有至少一个有源层（510，512，604）。

13.根据权利要求12所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述有源层（510，512，604）具有电致发光材料。

14.根据权利要求12或13所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述有机的层结构（100，200）设置在第一有源层（514）和第二有源层（516）之间。

15.根据权利要求10至14之一所述的光电子器件（500，600，700），

其中所述有机的层结构（100，200）施加在电极（502）上，尤其施加在阳极接触部（502）上。

16.铜络合物作为掺杂材料以用于对层（110）进行掺杂的应用，所述层（110）与湿法化学处理的空穴注入层（104）相邻地设置，其中所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有根据式I的化学结构：

其中E₁和E₂分别彼此无关地是下述元素的一种：氧、硫或硒，并且R选自：氢或者取代的或未取代的、枝化的、线状的或环状的碳氢化合物。