[发明专利]SPR 传感器元件及SPR 传感器无效
| 申请号： | 201280016040.4 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103460021A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 绀谷友广 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27;G01N21/03 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | spr 传感器 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SPR传感器元件，其包括检测单元和与所述检测单元相邻的试样载置部，其中：
所述检测单元包括：下包层；芯层，其设置成使所述芯层的至少一部分与所述下包层相邻；以及金属层，其覆盖所述芯层；并且
所述芯层包含35重量%以上的卤素。
2.根据权利要求1所述的SPR传感器元件，其特征在于，所述卤素包括氟。
3.根据权利要求1所述的SPR传感器元件，其特征在于，所述芯层的折射率为1.43以下。
4.根据权利要求3所述的SPR传感器元件，其特征在于，所述芯层的折射率为1.33以上。
5.根据权利要求1所述的SPR传感器元件，其特征在于，所述芯层的折射率比所述下包层的折射率大，并且所述芯层的折射率与所述下包层的折射率相差0.010以上。
6.一种SPR传感器，其包括根据权利要求1所述的SPR传感器元件。
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