[发明专利]多孔闪烁体晶体有效

专利信息
申请号: 201280015583.4 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN103502390A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 大桥良太;安居伸浩;田透 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C09K11/61 分类号: C09K11/61;G21K4/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 多孔 闪烁 晶体
【权利要求书】:

1.多孔闪烁体晶体,其包含包括空隙的多孔结构,其中该多孔结构是其中形成有空隙的相分离结构并且包含构成该相分离结构的共晶组成的材料,并且该多孔结构中至少一个空隙在与该多孔闪烁体晶体的面垂直的方向上延伸。

2.根据权利要求1的多孔闪烁体晶体,其中该多孔结构包含CuI或CsBr。

3.根据权利要求1或2的多孔闪烁体晶体,其中该空隙的最相邻距离的平均值不小于500nm并且不大于50μm。

4.根据权利要求1-3的任一项的多孔闪烁体晶体,其中用放射线激发该多孔结构时该多孔结构发光。

5.放射线检测器,包括光电检测器和经配置以面对该光电检测器的多孔闪烁体晶体,其中该多孔闪烁体晶体是根据权利要求1-4的任一项的多孔闪烁体晶体并且以使该空隙与该光电检测器垂直地对向的方式配置。

6.根据权利要求5的放射线检测器,其中在该光电检测器和该多孔闪烁体晶体之间配置保护层。

7.多孔闪烁体晶体的制造方法,包括:形成结构体的步骤,该结构体包括相分离结构,该相分离结构具有多个单向性的第一晶相和覆盖该第一晶相的侧面的第二晶相;和将该结构体的第一晶相除去的步骤。

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