[发明专利]荧光体和发光装置

说明书

技术领域

本发明的实施方案涉及荧光体和发光装置。

背景技术

荧光体粉末用于例如发光装置如发光二极管(LED)。发光装置包含：例如布置在基底上和发射预定颜色的光的半导体发光元件，和含有在固化的透明树脂(即，包封树脂)中的荧光体粉末的发光部分。该包含在发光部分中的荧光体粉末被由半导体发光元件所发出的紫外光或者蓝光激励而发射可见光。

用于发光装置中的半导体发光元件的例子包括GaN、InGaN、AlGaN和InGaAlP。所用的荧光体粉末的荧光体的例子包括蓝色荧光体、绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体，其分别被该半导体发光元件所发出的光激励而发射蓝光、绿光、黄光和红光。

在发光装置中，辐射光的颜色可以通过在包封树脂中包括各种荧光体粉末如红色荧光体来调整。更具体地，以组合的方式使用半导体发光元件和荧光体粉末(其吸收该半导体发光元件所发出的光，并且发射预定波长范围的光)引起在该半导体发光元件所发出的光和该荧光体粉末所发出的光之间的作用，并且该作用能够允许可见光区的光或者白光的发射。

过去，含有锶和具有铕活化的硅铝氧氮陶瓷(Si-Al-O-N)结构(Sr硅铝氧氮陶瓷荧光体)的荧光体已经是已知的。

引用列表

专利文献

专利文献1：国际公开No.2007/105631

发明内容

发明要解决的问题

但是，最近已经要求具有更高发光效率的Sr硅铝氧氮陶瓷(sialon)荧光体。

本发明已经在上述情形下完成，并且其一个目标是提供具有高发光效率的Sr硅铝氧氮陶瓷荧光体和发光装置。

解决问题的手段

根据该实施方案的荧光体和发光装置已经基于这样的发现而完成，即包括在具有特定组成的Sr硅铝氧氮陶瓷荧光体中特定比例的特定的非Eu稀土元素提高了Sr硅铝氧氮陶瓷荧光体的发光效率。

根据该实施方案的荧光体解决了上述问题，并且包含具有下式(1)所示的基本组成的铕活化的硅铝氧氮陶瓷晶体：

[式1]

式：(Sr_1-x,Eu_x)_αSi_βAl_γO_δN_ω(1)

(其中x是0<x<1，α是0<α≤4和β、γ、δ和ω是当α是3时使得所换算的数值满足9<β≤15、1≤γ≤5、0.5≤δ≤3和10≤ω≤25的数)，

并且该硅铝氧氮陶瓷晶体包含0.1质量%或更高且10质量%或更低的比例的至少一种选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的非Eu稀土元素，并且该荧光体发射通过紫外光、紫光或者蓝光的激励而发绿光。

此外，根据该实施方案的荧光体解决了上述问题，并且包含具有下式(2)所示的基本组成的铕活化的硅铝氧氮陶瓷晶体

[式2]

式：(Sr_1-x,Eu_x)_αSi_βAl_γO_δN_ω  (2)

(其中x是0<x<1，α是0<α≤3和β、γ、δ和ω是当α是2时使得所换算的数值满足5≤β≤9、1≤γ≤5、0.5≤δ≤2和5≤ω≤15的数)，

并且该硅铝氧氮陶瓷晶体包括0.1质量%或更高且10质量%或更低的比例的至少一种选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的非Eu稀土元素，并且该荧光体通过紫外光、紫光或者蓝光的激励而发射红光。

此外，根据该实施方案的发光装置解决了上述问题，并且该发光装置包含基底，半导体发光元件(其布置在基底上并且发射紫外光、紫光或蓝光)和发光部分(其形成以覆盖该半导体发光元件的发光表面，并且包含荧光体，该荧光体被该半导体发光元件所发出的光激励而发射可见光)，其中该荧光体包括权利要求1-6任一项所定义的荧光体。

发明的优点

本发明的荧光体和发光装置表现出高的发光效率。

附图说明

图1示意了发光装置发射光谱的一个例子。

图2示意了发光装置发射光谱的另一例子。

具体实施方式