[发明专利]荧光体和发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其包含具有下式(1)所示的基本组成的铕活化的硅铝氧氮陶瓷晶体：

[式1]

式：(Sr_1-x,Eu_x)_αSi_βAl_γO_δN_ω               (1)

(其中x是0<x<1，α是0<α≤4，和β、γ、δ和ω是当α是3时使得所换算的数值满足9<β≤15、1≤γ≤5、0.5≤δ≤3和10≤ω≤25的数)，

并且该硅铝氧氮陶瓷晶体包含0.1质量%或更高且10质量%或更低的比例的至少一种选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的非Eu稀土元素，

并且该荧光体通过紫外光、紫光或者蓝光激励而发出绿光。

2.一种荧光体，其包含具有下式(2)所示的基本组成的铕活化的硅铝氧氮陶瓷晶体：

[式2]

式：(Sr_1-x,Eu_x)_αSi_βAl_γO_δN_ω          (2)

(其中x是0<x<1，α是0<α≤3，和β、γ、δ和ω是当α是2时使得所换算的数值满足5≤β≤9、1≤γ≤5、0.5≤δ≤2和5≤ω≤15的数)，

并且该硅铝氧氮陶瓷晶体包含0.1质量%或更高且10质量%或更低的比例的至少一种选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的非Eu稀土元素，

并且该荧光体通过紫外光、紫光或者蓝光激励而发出红光。

3.根据权利要求1或2的荧光体，其中该紫外光、紫光或蓝光的峰波长在370nm或更高且470nm或更低的范围内。

4.根据权利要求1-3任一项的荧光体，其具有1μm或更高且100μm或更低的平均粒度。

5.根据权利要求1、3和4任一项的发绿光的荧光体，其具有500nm或更高且540nm或更低的发射峰波长。

6.根据权利要求2-4任一项的发射黄色到红色光的荧光体，其具有550nm或更高且650nm或更低的发射峰波长。

7.一种发光装置，其包含：

基底，

半导体发光元件，其布置在该基底上，并且发射紫外光、紫光或蓝光，和

发光部分，其形成以覆盖该半导体发光元件的发光表面，并且该发光部分包含荧光体，该荧光体被所述半导体发光元件发射的光激励而发射可见光，

其中该荧光体包括根据权利要求1-6任一项的荧光体。

8.根据权利要求7的发光装置，其中该半导体发光元件是发光二极管或激光二极管，其发射峰波长在370nm或更高且470nm或更低的范围内的光。