[发明专利]单晶硅晶片无效
| 申请号： | 201280012318.0 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103429798A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;C30B33/10;G01N21/956;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。
2.如权利要求1所述的单晶硅晶片，其中，前述单晶硅晶片包括：利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域；及，利用红外散射法未检测出LSTD的无缺陷区域。
3.如权利要求1或2所述的单晶硅晶片，其中，前述单晶硅晶片是由氧浓度为5×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的单晶硅晶片，其中，前述单晶硅晶棒包含氮与氧，且氮浓度[N]原子/cm3和氧浓度[Oi]原子/cm3（ASTM’79）满足[N]×[Oi]3≤3.5×1067。
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