[发明专利]用于发光二极管的高温无金晶圆接合

权利要求书

1.一种装置，包括：

外延发光二极管(LED)结构，包括n型层、p型层以及设置在所述n型层与所述p型层之间的有源层，其中所述有源层包括一定量的铟；

载体；以及

金属接合层，设置在所述外延LED结构与所述载体之间，其中所述金属接合层将所述外延LED结构与所述载体接合在一起，并且其中所述金属接合层具有至少大约380摄氏度的熔化温度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属接合层基本由铝和锗构成。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属接合层基本由铝和硅构成。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外延LED结构、所述载体以及所述金属接合层为LED器件的部分，所述装置还包括：

具有金属表面的结构；以及

一定量的焊料，将所述LED器件接合至所述结构，其中所述焊料的熔化温度低于所述金属接合层的熔化温度。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述焊料包括锌和铝。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述结构为印刷电路板(PCB)。

7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述LED器件还包括铝电极，并且其中所述铝电极与所述焊料直接接触。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外延LED结构、所述载体以及所述金属接合层为LED器件的部分，其中所述LED器件还包括设置在所述金属接合层与所述外延LED结构之间的阻挡层，并且其中在所述LED器件遭受450摄氏度的温度持续五分钟时，所述阻挡层防止来自所述金属接合层的接合金属扩散通过所述阻挡层。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外延LED结构、所述载体以及所述金属接合层为LED器件的部分，其中所述LED器件还包括设置在所述金属接合层与所述外延LED结构之间的阻挡层，并且其中所述阻挡层包括一定量的镍。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外延LED结构、所述载体以及所述金属接合层为LED器件的部分，其中所述LED器件还包括设置在所述金属接合层与所述外延LED结构之间的经退火的银层。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外延LED结构、所述载体以及所述金属接合层为LED器件的部分，其中所述LED器件还包括电耦合至所述n型层的第一电极，其中所述LED器件还包括电耦合至所述p型层的第二电极，并且其中所述LED器件基本不包括金。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第二电极为一定量的铝，其中一定量的焊料将所述第二电极附接至金属表面，并且其中所述焊料的熔化温度低于所述金属接合层的熔化温度。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述载体为一定量的硅。

14.一种制造方法，包括：

(a)通过在至少大约380摄氏度的温度下熔化设置在载体晶圆结构与器件晶圆结构之间的接合金属，将所述载体晶圆结构晶圆接合至所述器件晶圆结构，其中所述器件晶圆结构包括外延发光二极管(LED)结构，其中所述外延LED结构包括n型层、p型层以及设置在所述n型层与所述p型层之间的有源层，其中所述有源层包括一定量的铟，并且其中所述载体晶圆结构包括载体。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述载体为硅晶圆。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述接合金属包括铝和锗。

17.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述接合金属包括铝子层以及锗子层，其中所述铝子层在(a)的所述晶圆接合时为所述器件晶圆结构的一部分，其中所述锗子层在(a)的所述晶圆接合时为所述载体晶圆结构的一部分，并且其中所述铝子层与所述锗子层在(a)的所述晶圆接合期间熔化到一起。

18.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述接合金属包括铝和硅。