[发明专利]贵金属-氧化物接合纳米粒子及其高纯度制造方法

权利要求书

1.复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,含贵金属(M)0.1～30原子%、其余由贱金属(A)与不可避免杂质构成的、粒径1～100nm的合金(A-M)纳米粒子于惰性气体中生成,在惰性气体中运送的途中,通过合金(A-M)纳米粒子的加热及与导入的氧化性气体接触,悬浮的合金(A-M)纳米粒子中的贱金属成分(A)被氧化,并且氧化贱金属成分(A_xO_y)与贵金属成分(M)发生相分离,得到于粒子状贱金属氧化物(A_xO_y)的表面接合1个贵金属粒子(M)的复合纳米粒子(M-A_xO_y)。

2.按照权利要求1所述的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,复合纳米粒子(M-A_xO_y)以独立分散的状态得到。

3.按照权利要求1或2所述的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,合金(A-M)纳米粒子的热氧化处理在气相中进行,于温度400℃以上、处理时间为10秒以内。

4.按照权利要求1～3任何一项所述的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,氧化性气体的导入在合金(A-M)纳米粒子的加热前进行,该加热在氧化性气体与惰性气体的混合气体中进行,或氧化性气体的导入在合金(A-M)纳米粒子的惰性气体中的加热中进行。

5.按照权利要求1～4任何一项所述的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,作为合金(A-M)纳米粒子的生成法,采用气体中蒸发法、激光消融法、溅射法、电孤等离子体法、大气压等离子体法的任何一种。

6.按照权利要求1～5任何一项所述的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其特征在于,贱金属氧化物(A_xO_y)成分的贱金属(A)为选自Cu、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Co、Fe、Ni、Zn、Al、Y、Zr、Mo、In、Mg、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Si、Ge、Pb、Bi的1种以上,贵金属(M)为选自Au、Pt、Pd、Rh、Ag、Ru、Ir的1种以上。

7.复合纳米粒子(M-A_xO_y)の制造方法,其是含贵金属(M)0.1～30原子%、其余由贱金属(A)与不可避免杂质构成的、粒径1～200nm的合金(A-M)纳米粒子于惰性气体中生成,在惰性气体中运送的途中,通过合金(A-M)纳米粒子的加热及与导入的氧化性气体接触,悬浮的合金(A-M)纳米粒子中的贱金属成分(A)被氧化,并且氧化贱金属成分(A_xO_y)与贵金属成分(M)发生相分离,得到由粒子状贱金属氧化物(A_xO_y)的1个区域与粒子状贵金属(M)的1个区域构成的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的复合纳米粒子(M-A_xO_y)的制造方法,其中,贱金属(A)为选自Cu、Sn、Al、Ni、Co、Ti、Zr、In、Si、La、Ce、Eu的1种以上,贵金属(M)为选自Au、Pt、Pd、Rh、Ag的1种以上。