[发明专利]具有完全硅化的鳍片的鳍片FET结构有效
| 申请号： | 201280006806.0 | 申请日： | 2012-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103348481A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | A·布赖恩特;卜惠明;郭德超;W·E·亨施;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 完全 fet 结构 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：
在半导体衬底上形成多个鳍片，所述鳍片包括半导体材料；
在所述多个鳍片中的每一个之上并与其接触地形成栅极电极；
在所述栅极电极和所述多个鳍片之上沉积绝缘体层；
在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口，所述沟槽开口暴露所述多个鳍片并且在所述多个鳍片之间延伸；
通过所述沟槽开口硅化所述多个鳍片；以及
用与所述硅化的鳍片接触的金属填充所述沟槽开口以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
2.权利要求1的方法，其中所述硅化是完全硅化。
3.权利要求1的方法，其中所述硅化的步骤包括：在所述鳍片上沉积金属层，然后加热所述鳍片和金属以使得形成金属硅化物。
4.权利要求1的方法，其中所述鳍片包括硅。
5.权利要求1的方法，其中所述栅极电极包括间隔物。
6.权利要求1的方法，其中所述绝缘体层是应力氮化物层。
7.权利要求1的方法，其中填充所述沟槽开口的所述金属是铜。
8.权利要求1的方法，其中所述半导体衬底是绝缘体上硅半导体衬底。
9.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：
在半导体衬底上形成多个鳍片，所述鳍片包括半导体材料并且具有第一和第二侧表面；
在所述多个鳍片中的每一个之上并与其接触地形成栅极电极；
在所述栅极电极上形成间隔物；
在所述第一和第二侧表面上形成间隔物，所述间隔物仅覆盖所述第一和第二侧表面的与所述半导体衬底邻近的部分；
在所述栅极电极和所述多个鳍片上沉积绝缘体层；
在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口，所述沟槽开口暴露所述多个鳍片并且在所述多个鳍片之间延伸；
通过所述沟槽开口硅化所述多个鳍片，所述硅化向下延伸到所述第一和第二侧表面上的所述间隔物；
用与所述硅化的鳍片接触的金属填充所述沟槽开口以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
10.权利要求9的方法，其中所述硅化是完全硅化。
11.权利要求9的方法，其中所述硅化的步骤包括：在所述鳍片上沉积金属层，然后加热所述鳍片和金属以使得形成金属硅化物。
12.权利要求9的方法，其中所述鳍片包括硅。
13.权利要求9的方法，其中所述绝缘体层是应力氮化物层。
14.权利要求9的方法，其中填充所述沟槽开口的所述金属是铜。
15.权利要求9的方法，其中所述半导体衬底是绝缘体上硅半导体衬底。
16.一种半导体器件，包括：
具有多个鳍片的半导体衬底，所述鳍片包括半导体材料；
在所述多个鳍片中的每一个之上并与其接触的栅极电极；
在所述栅极电极和所述多个鳍片之上的绝缘体层；
在所述绝缘体层中的沟槽开口，所述沟槽开口暴露所述多个鳍片并且在所述多个鳍片之间延伸，所述多个鳍片通过所述沟槽开口被硅化；以及
所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
17.权利要求16的半导体器件，其中所述多个鳍片通过所述沟槽开口被完全硅化。
18.权利要求16的半导体器件，其中所述绝缘体层是应力氮化物层。
19.权利要求16的半导体器件，其中填充在所述沟槽开口中的所述金属是铜。
20.权利要求16的半导体器件，其中所述半导体衬底是绝缘体上硅半导体衬底。
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