[发明专利]用于多级放大器的米勒补偿的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201280005179.9 申请日: 2012-01-06
公开(公告)号: CN103329429A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: E·伊瓦诺夫;A·卡尔布 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H03F1/14 分类号: H03F1/14;H03F1/08;H03F3/45
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 多级 放大器 米勒 补偿 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

放大器电路的包括第一输出节点的第一放大器级;

所述放大器电路的包括第二输出节点的第二放大器级;和

所述放大器电路的电耦接在所述第一输出节点和所述第二输出节点之间的补偿块,其中所述补偿块包括:

默认补偿电容,其电耦接在所述第一输出节点和所述第二输出节点之间;

可选补偿电容,所述可选补偿电容具有电耦接到所述第一输出节点的第一终端和通过第一开关可电连接到所述第二输出节点的第二终端;和

阻抗,其通过第二开关可电连接到所述可选补偿电容的所述第二终端,

其中所述可选补偿电容被配置成在所述可选补偿电容与所述第二输出节点断开时电耦接到所述阻抗。

2.如权利要求1所述的装置,其中与所述阻抗串联的所述可选补偿电容在其阻抗和频率的关系上具有零点。

3.如权利要求1所述的装置,其中所述第一开关具有电耦接到所述可选补偿电容的所述第二终端的第一末端和电耦接到所述第二输出节点的第二末端;以及

其中所述第二开关具有电耦接到所述可选补偿电容的所述第二终端的第一末端和电耦接到所述阻抗的第二末端。

4.如权利要求3所述的装置,其中所述第一开关被配置成在所述第二开关关闭时打开,以及其中所述第一开关被配置成在所述第二开关打开时关闭。

5.如权利要求3所述的装置,其中所述第一开关和所述第二开关的每一个包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

6.如权利要求3所述的装置,其中所述阻抗包括具有第一末端和第二末端的电阻器,其中所述电阻器的所述第一末端电耦接到所述第二开关的所述第二末端,且所述电阻器的所述第二末端电耦接到参考电压。

7.如权利要求1所述的装置,其中所述第一放大器级还包括第三输出节点,且其中所述装置还包括电耦接在所述第二输出节点和所述第三输出节点之间的另一补偿块,

其中所述补偿块包括电耦接在所述第三输出节点和所述第二输出节点之间的第二默认补偿电容、第二可选补偿电容和第二阻抗,所述第二可选补偿电容具有电耦接到所述第三输出节点的第一终端和通过第三开关可电连接到所述第二输出节点的第二终端,所述第二阻抗通过第四开关可电连接到所述第二可选补偿电容的所述第二终端,

其中所述第二可选补偿电容被配置成电耦接到所述第二阻抗,使得当所述第二可选补偿电容与所述第二输出节点断开时,所述第二可选补偿电容向所述放大器电路的频率响应贡献零点。

8.如权利要求7所述的装置,其中所述第一放大器级包括具有所述第一输出节点和所述第三输出节点作为输出节点的AB类驱动器。

9.如权利要求1所述的装置,其中所述第一放大器级还包括一个或更多个增益增强放大器。

10.如权利要求9所述的装置,其中所述第一放大器级还包括共源共栅级,所述共源共栅级包括第一共源共栅晶体管到第三共源共栅晶体管以及第一增益增强放大器和第二增益增强放大器,

其中所述第一共源共栅晶体管通过第一共源共栅节点电耦接在第一参考电压和所述第二共源共栅晶体管之间,

其中所述第二共源共栅晶体管电耦接在所述第一共源共栅节点和所述第一放大器级的所述第一输出节点之间,

其中所述第三共源共栅晶体管电耦接在所述第一放大器级的所述第一输出节点和第二共源共栅节点之间,

其中所述第一增益增强放大器具有电耦接到所述第一共源共栅节点的输入和电耦接到所述第二共源共栅晶体管的栅极的输出,以及

其中所述第二增益增强放大器具有电耦接到所述第二共源共栅节点的输入和电耦接到所述第三共源共栅晶体管的栅极的输出。

11.如权利要求9所述的装置,其中所述第一放大器级包括具有所述第一输出节点作为输出节点的折叠式共源共栅拓扑或套筒式共源共栅拓扑。

12.如权利要求1所述的装置,其中所述第二放大器级包括电耦接在第一参考电压和所述第二输出节点之间的第一第二级晶体管以及电耦接在所述第二输出节点和第二参考电压之间的第二第二级晶体管,所述第二参考电压提供比所述第一参考电压低的电压,其中所述第一第二级晶体管具有电耦接到所述第一输出节点的栅极,并且其中所述第二第二级晶体管具有电耦接到偏压的栅极。

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