[发明专利]导电结构体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201280002347.9 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN103081026A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 具范谟;黄智泳;章盛皓;朴镇宇;金忠完;李承宪 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: H01B1/02 分类号: H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;H01L31/042
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 张皓;陈国军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 导电 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种导电结构体,其包括:

基板;

导电图形层;和

黑化图形层,其包含AlOxNy,其中0≤x≤1.5,0≤y≤1,

其中,x和y分别表示在AlOxNy中O和N原子的数目与一个Al原子的比例。

2.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述黑化图形层的厚度为10nm以上和400nm以下。

3.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述黑化图形层进一步包含选自介电材料、金属及其混合物中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的导电结构体,其中,所述介电材料选自SiO、SiO2、MgF2和SiNz,其中z为1以上的整数。

5.根据权利要求3所述的导电结构体,其中,所述金属选自Fe、Co、Ti、V、Cu、Al、Au和Ag。

6.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述黑化图形层的面积为被所述导电图形层占据的面积的80-120%。

7.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述黑化图形层的线宽与所述导电图形层的线宽相同或者比所述导电图形层的线宽更宽。

8.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,在黑化图形层的与所述导电图形层接触的表面的相对表面的方向上测量的总反射率为20%以下。

9.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述黑化图形层设置在所述导电图形层和所述基板之间,在所述基板一侧测量的总反射率为20%以下。

10.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上和300Ω/□以下。

11.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层包含选自金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物及其混合物中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层包含选自银、铝、铜、钕、钼、镍及其合金、氧化物、氮化物和混合物中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层的厚度为0.01μm以上和10μm以下。

14.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层的线宽为10μm以下。

15.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层包括规则图形。

16.根据权利要求1所述的导电结构体,其中,所述导电图形层包括不规则图形。

17.一种用于制备导电结构体的方法,该方法包括以下步骤:

在基板上形成导电图形层;和

在形成所述导电图形层之前、之后、或者之前和之后,形成包含AlOxNy的黑化图形层,其中,0≤x≤1.5,0≤y≤1,

其中,x和y分别表示在AlOxNy中O和N原子的数目与一个Al原子的比例。

18.一种用于制备导电结构体的方法,该方法包括以下步骤:

在基板上形成导电层;

在形成所述导电层之前、之后、或者之前和之后,形成包含AlOxNy的黑化层,其中0≤x≤1.5,0≤y≤1;和

单独地或同时地使所述导电层和黑化层形成图形,

其中,x和y分别表示在AlOxNy中O和N原子的数目与一个Al原子的比例。

19.根据权利要求18所述的用于制备导电结构体的方法,其中,所述导电层或黑化层的表面电阻为大于0Ω/□和2Ω/□以下。

20.一种触摸屏面板,其包括:

根据权利要求1-16中任一项所述的导电结构体。

21.一种显示器件,其包括:

根据权利要求1-16中任一项所述的导电结构体。

22.一种太阳能电池,其包括:

根据权利要求1-16中任一项所述的导电结构体。

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