[发明专利]一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法

权利要求书

1.一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

在一衬底上依次叠层制备半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层；

去除部分所述栅绝缘层及栅金属层，保留预设宽度的栅绝缘层及栅金属层；

在所述半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层的外表面设置绝缘薄膜；

去除部分所述绝缘薄膜，保留至少包覆于所述栅绝缘层侧面的绝缘薄膜，形成栅极侧墙；

将所述半导体金属氧化物层未被所述栅绝缘层覆盖的部分通过氢化过程或等离子体过程转化为源极导体和漏极导体，在将所述半导体金属氧化物层转化为源极导体和漏极导体的过程中，通过所述栅极侧墙阻止氢扩散到沟道中，避免源极导体和漏极导体过度转化而延伸到沟道中，所述栅极侧墙的厚度满足使所述源极导体和漏极导体的内边缘与所述栅金属层的外边缘对准。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述半导体金属氧化物层未被所述栅绝缘层覆盖的部分转化为源极导体和漏极导体的步骤具体为：

在所述衬底之上沉淀氢化的钝化层，通过氢化过程将所述半导体金属氧化物层未被所述栅绝缘层覆盖的部分转化为源极导体和漏极导体。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述半导体金属氧化物层未被所述栅绝缘层覆盖的部分转化为源极导体和漏极导体的步骤具体为：

通过等离子体过程将所述半导体金属氧化物层未被所述栅绝缘层覆盖的部分转化为源极导体和漏极导体，然后淀积钝化层。

4.如权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：将所述栅金属层、源极导体及漏极导体通过导电引线引出至所述钝化层之外。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，将所述栅金属层、源极导体及漏极导体通过导电引线引出至所述钝化层之外的步骤具体为：

自所述钝化层的上表面向所述栅金属层、源极导体及漏极导体分别开孔；

向所述孔中注入导电材料，将所述栅金属层、源极导体及漏极导体引出。

6.如权利要求1至3、5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述栅极侧墙包覆于所述栅绝缘层的部分侧面。

7.如权利要求1至3、5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述栅极侧墙包覆于所述栅绝缘层的全部侧面及栅金属层的部分或全部侧面。

8.如权利要求1至3、5任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上依次叠层制备半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层之前，进行下述步骤：

在衬底之上设置一保护层。