[实用新型]硅熔炉用缝制底垫

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅熔炉，尤其是一种硅熔炉用缝制底垫。

背景技术

硅的熔点为1410℃，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。硅熔炉内部为真空，装有液态硅的坩埚用柱子悬挂于硅熔炉中间，硅熔炉底部为钢制的底，钢制的底的下面有用于冷却的水。如果液态硅从坩埚中溢出，会熔穿钢制的底与水接触从而引发爆炸，因此钢制的底上面会铺有耐火纤维底垫。现有的耐火纤维底垫是用一块块的耐火纤维毯交叠铺设而成，一旦有液态硅从坩埚中溢出，很容易渗过底垫，熔穿钢制的底从而引起爆炸。

发明内容

本实用新型目的是：提供一种结构简单，使用方便，能够更长时间保护硅熔炉底部不被熔穿的硅熔炉用缝制底垫。

本实用新型的技术方案是：一种硅熔炉用缝制底垫，其特征在于，包括至少两片耐热温度为1600度的耐火纤维毯，所述耐火纤维毯交叠缝制成与硅熔炉底面相同的圆形。

进一步的，所述耐火纤维毯的密度大于等于135kg/m³。

进一步的，所述耐火纤维毯交叠部分的长度大于等于10mm。

进一步的，所述耐火纤维毯交叠部分缝制线的直径小于等于2mm。

进一步的，所述耐火纤维毯交叠部分至少缝制2排线。

进一步的，所述耐火纤维毯的厚度为10mm。

进一步的，所述耐火纤维毯为两片。

进一步的，所述两片耐火纤维毯的面积不相同。

进一步的，所述硅熔炉用缝制底垫至少为一层。

本实用新型的优点是：

1. 结构简单，制作方便，安装工时低；

2. 采用了缝制技术，使得相邻的耐火纤维毯之间连接紧密，防止液态硅渗过，可以更好的保护硅熔炉底部不被熔穿。

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

图1为本实用新型的硅熔炉用缝制底垫结构示意图。

其中：1耐火纤维毯1；2交叠缝制区域；3缝制针脚。

具体实施方式

实施例1：如图1所示的硅熔炉用缝制底垫，包括:两片耐热温度为1600度、密度为140kg/m³的耐火纤维毯1，两片耐火纤维毯交叠缝制成与硅熔炉底面相同的圆形，该耐火纤维毯1的厚度为10mm，缝制2排线，交叠部分的长度为10mm，交叠部分缝制线的直径为2mm。

实施例2：硅熔炉用缝制底垫，包括:两片耐热温度为1600度、密度为150kg/m³的耐火纤维毯1，两片耐火纤维毯交叠缝制成与硅熔炉底面相同的圆形，该耐火纤维毯1的厚度为10mm，缝制2排线，交叠部分的长度为10mm，交叠部分缝制线的直径为2mm；该底垫为2层上述的圆形耐火纤维毯。

实施例3：硅熔炉用缝制底垫，包括:四片耐热温度为1600度、密度为135kg/m³的耐火纤维毯1，四片片耐火纤维毯交叠缝制成与硅熔炉底面相同的圆形，该耐火纤维毯1的厚度为12mm，缝制2排线，交叠部分的长度为12mm，交叠部分缝制线的直径为2mm。

实验数据：现有的铺设式耐火纤维底垫在在温度为1550度的液态硅溢出的情况下

渗透的时间为10小时；

实施例1在温度为1550度的液态硅溢出的情况下渗透的时间为24小时；

实施例2在温度为1550度的液态硅溢出的情况下渗透的时间为48小时；

实施例3在温度为1550度的液态硅溢出的情况下渗透的时间为24小时；

由上述实施例可以看出，本实用新型由于采用了缝制技术，使得相邻的耐火纤维毯之间连接紧密，防止液态硅渗过，可以更好的保护硅熔炉底部不被熔穿。

以上实施例仅为本实用新型其中的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。