[实用新型]一种双极板结构数字微流控芯片有效
| 申请号: | 201220618769.6 | 申请日: | 2012-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN202893370U | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 凌明祥;陈立国;陈涛;刘德利;许晓威 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院总体工程研究所 |
| 主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
| 代理公司: | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人: | 翟长明;韩志英 |
| 地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 极板 结构 数字 微流控 芯片 | ||
1.一种双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的芯片从下到上依次由基底、驱动电极单元阵列、层状复合介电层、零电极单元阵列、厌水层、支撑柱以及上极板组成,驱动电极单元为带有矩形叉齿的正方形电极单元,层状复合介电层为氮化硅-二氧化硅层状复合结构,零电极单元阵列为介电层表面的正方形或圆形电极单元阵列,各个零电极单元的位置在相应驱动电极单元的正上方。
2.根据权利要求1所述的双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的驱动电极单元为带有矩形叉齿的正方形导电薄膜,每个叉齿大小和形状均一致。
3.根据权利要求1所述的双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的层状复合介电层中的氮化硅薄膜在二氧化硅薄膜的下面。
4.根据权利要求1所述的双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的零电极单元阵列位于介电层和厌水层之间,各个零电极单元为正方形导电薄膜,各个零电极单元位于相应的驱动电极单元正上方,而且零电极单元的表面积小于驱动电极单元的表面积。
5.根据权利要求1所述的双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的零电极单元阵列位于介电层和厌水层之间,各个零电极单元为园形导电薄膜,各个零电极单元位于相应的驱动电极单元正上方,而且零电极单元的表面积小于驱动电极单元的表面积。
6.根据权利要求1所述的双极板结构数字微流控芯片,其特征在于:所述的上极板为涂有厌水薄膜的透明玻璃片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院总体工程研究所,未经中国工程物理研究院总体工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220618769.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可双向折叠的婴儿推车
- 下一篇:低温甲醇洗的热再生系统





