[实用新型]一种用于吸取MEMS芯片的吸嘴有效
| 申请号： | 201220610741.8 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202930369U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 韩林森;龚平;王从亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 吸取 mems 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于吸取MEMS芯片的吸嘴，其中所述MEMS芯片设有硅层，所述硅层上表面形成一感应膜区域，所述吸嘴包括吸嘴本体，和在所述吸嘴本体内形成有供吸取芯片的气体通过的气体通道，其特征在于：在吸嘴的末端自吸嘴表面围绕所述气体通道向内凹陷形成一个与所述气体通道连通的避空槽，所述避空槽的面积大于所述感应膜区域的面积。
2.如权利要求1所述的吸嘴，其特征在于：所述MEMS芯片还设有玻璃层,所述玻璃层与所述硅层形成空腔。
3.如权利要求1所述的吸嘴，其特征在于：所述吸嘴本体上端为圆柱体，下端为渐缩的锥台形，锥台的末端为矩形、圆形或三角形。
4.如权利要求1或3所述的吸嘴，其特征在于：所述避空槽为矩形、圆形或三角形。
5.如权利要求1所述的吸嘴，其特征在于：所述气体通道包括位于吸嘴本体内上端开口的四方通道和与四方通道的下端开口连通的圆柱通道，所述四方通道的直径比圆柱通道的直径大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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