[实用新型]微机电传声器芯片有效
| 申请号: | 201220603899.2 | 申请日: | 2012-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN202957975U | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
| 发明(设计)人: | 蔡孟锦 | 申请(专利权)人: | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;何立春 |
| 地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微机 传声器 芯片 | ||
1.一种微机电传声器芯片,其特征在于,包括:基底、阻挡层、背极板、支撑层、振膜、第一金属电极和第二金属电极;
其中,基底上表面为阻挡层,阻挡层之上为背极板,背极板之上为支撑层,支撑层之上为振膜;
基底与阻挡层的中心有一贯通孔,为背腔;支撑层的中心有一与背腔对应的贯通孔,使得振膜与背极板之间形成气隙,背腔与气隙之间隔着背极板;
背极板由导电层和绝缘层构成,其中导电层只设置在与振膜的振动区域对应的位置以及与第一金属电极对应的位置;
支撑层上有向下竖直开的上电极孔,上电极孔穿透支撑层,第一金属电极设置在上电极孔中并与导电层直接接触;第二金属电极设置在振膜上。
2.如权利要求1所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述基底为氮化硅。
3.如权利要求1所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述阻挡层是氧化硅膜,或者是多晶硅和氮化硅的复合膜。
4.如权利要求1所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述振膜是多晶硅膜。
5.如权利要求1所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述支撑层为绝缘材料。
6.如权利要求5所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述支撑层为氧化硅。
7.如权利要求1所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述背极板的中部与气隙对应的位置,设置有多个声孔,声孔与气隙和背腔均相通。
8.如权利要求1至7中任一项所述的微机电传声器芯片,其特征在于,
所述背极板的导电层为多晶硅;
所述背极板的绝缘层为氮化硅。
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