[实用新型]一种对电子元件改性与电学性质表征的设备有效
| 申请号: | 201220585177.9 | 申请日: | 2012-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN202948906U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 陶海华;张双喜;王庆康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00;G01R31/00 |
| 代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电子元件 改性 电学 性质 表征 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及紫外光/臭氧表面处理技术,更具体的说,涉及一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备。
背景技术
紫外光/臭氧表面处理技术能够有效清除大多数金属、半导体和绝缘材料的有机污染物,在材料生长、表面改性和器件制备等基础科研和产业应用领域发挥着重要的作用。这项技术起源于二十世纪七十年代,它最初为紫外光照射空气或氧气,并逐步发展为真空紫外清洗技术以进一步降低空气中水汽、二氧化氮等气体对光化学反应的影响;在规模上也从最初的小功率基片清洗设备向大功率自动传输清洗设备发展。这种紫外光照清洗设备主要是基于低压汞灯能发射出主要波长位于184.9nm和253.7nm的紫外光,氧气在这两种紫外光的照射下生成氧原子和臭氧,并与处于激发态的有机分子发生光化学反应,生成水和二氧化碳等物质,达到表面清洗的目的。
紫外光/臭氧表面处理技术不仅对基底具有清洗效应,氧原子的强氧化性还能够将一些金属材料(譬如银、铝等)氧化或者刻蚀碳族材料(如石墨烯、碳纳米管等)表面,实现材料改性。在这种光化学处理过程中,尽可能减少环境中非氧气分子的影响对获得高质量的样品至关重要。对于真空紫外清洗技术,即将紫外灯与样品架置于同一真空腔室中,当室内达到一定本底真空度后再输入一定压强的氧气并开启紫外光照射,这种技术能有效清除腔室内吸附的水汽和其它非氧气体的影响。
紫外光/臭氧改性技术本身还存在很大的局限性:首先,将紫外灯管与样品置于同一腔室中,会增大反应腔室的体积,不利于准确控制光化学反应的进程和精度。其次,紫外光照射会引起环境温度的起伏,进而会导致臭氧分解成氧原子的速率发生起伏,从而影响紫外灯/臭氧表面改性的进程。
紫外光/臭氧光化学反应技术对于碳族元素的表面处理过程来说,不仅具有表面清洗和载流子掺杂效应,而且当表面有机物消失殆尽时,它们又会对其产生刻蚀效应,使其表面电阻急剧增大。以石墨烯的研究为例,我们知道碳族元素经过紫外光/臭氧改性后,若将其暴露于大气环境中,它表面会迅速(几分钟)吸附空气中的气体和杂质,这不利于改性过程的准确表征。如果在紫外光/臭氧改性过程中能原位测试电子元件的电学性能,我们就能对改性过程进行准确的控制和表征。为此,我们必须考虑这种原位电学性质测试技术与紫外光/臭氧技术的兼容,从而对我们的设计提出了更高或者更为特殊的要求。
实用新型内容
针对上述现有技术中存在的技术问题,本实用新型提供一种对电子元件改性与电学性质表征的设备,该设备是一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备,克服已有样品表面改性技术中存在的问题,实现了集紫外光/臭氧改性和电子元件性能测试于一体,其可以准确控制光化学反应的进程,并能够原位探测电子元件的导电性质(包括高温),在材料和器件的干法清洗、表面改性以及电学性质表征方面具有重要价值。
为达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种对电子元件改性与电学性质表征的设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,其中,所述紫外光源系统包括控制电源和紫外灯管,所述真空腔室包括外腔室和内腔室,所述外腔室内安装所述紫外灯管,所述内腔室内设置样品台以及加热和水冷装置,并具有气体输入、输出端口,所述紫外灯管发射的光通过内腔室的石英窗口,照射到样品台上,所述内腔室具有一定压强的氧气,其经过紫外光照射后生成臭氧和氧原子,对样品台上的样品表面进行清洗和改性;所述真空泵系统和真空设备控制系统用于产生并控制真空腔室内的真空度,所述电子元件测试系统能够对电子元件的电学性质进行原位测试表征。
所述紫外灯管发射主要为184.9nm和253.7nm的紫外光。
所述内腔室上部主要由石英材料制成,下部主要为不锈钢材料制成,内腔室顶部具有在波长184.9nm和253.7nm处高透过率的石英窗口,所述石英窗口的尺寸不小于内腔室的内部孔径,以有效避免内腔室氧气在紫外光照射下光化学反应暗区的产生,所述气体输入、输出端口设置在内腔室下部不锈钢部分。
所述样品台的高度通过控制杆在一定范围内可调节,以实现和有效控制紫外光/臭氧表面处理。
所述真空泵由两级泵,即机械泵和分子泵组成。
所述真空设备控制系统主要包括:气体流量计、真空计、温度控制系统和水冷系统。
所述电子元件测试系统主要包括:锁相放大器、电压源和电流计,能够对电子元件的电学性质进行原位表征。
与已有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





