[实用新型]一种对电子元件改性与电学性质表征的设备有效
| 申请号: | 201220585177.9 | 申请日: | 2012-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN202948906U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 陶海华;张双喜;王庆康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00;G01R31/00 |
| 代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电子元件 改性 电学 性质 表征 设备 | ||
1.一种对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,其中,所述紫外光源系统包括控制电源和紫外灯管,所述真空腔室包括外腔室和内腔室,所述外腔室内安装所述紫外灯管,所述内腔室内设置样品台以及加热和水冷装置,并具有气体输入、输出端口,所述紫外灯管发射的光通过内腔室的石英窗口,照射到样品台上,所述内腔室具有一定压强的氧气,其经过紫外光照射后生成臭氧和氧原子,对样品台上的样品表面进行清洗和改性;所述真空泵系统和真空设备控制系统用于产生并控制真空腔室内的真空度,所述电子元件测试系统能够对电子元件的电学性质进行原位测试表征。
2.根据权利要求1所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述紫外灯管发射主要为184.9nm和253.7nm的紫外光。
3.根据权利要求2所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述内腔室上部主要由石英材料制成,下部主要为不锈钢材料制成,内腔室顶部具有在波长184.9nm和253.7nm处高透过率的石英窗口,所述石英窗口的尺寸不小于内腔室的内部孔径,以有效避免内腔室氧气在紫外光照射下光化学反应暗区的产生,所述气体输入、输出端口设置在内腔室下部不锈钢部分。
4.根据权利要求1所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述样品台的高度通过控制杆在一定范围内可调节,以实现和有效控制紫外光/臭氧表面处理。
5.根据权利要求1所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述真空泵由两级泵,即机械泵和分子泵组成。
6.根据权利要求1所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述真空设备控制系统主要包括:气体流量计、真空计、温度控制系统和水冷系统。
7.根据权利要求1所述的对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,所述电子元件测试系统主要包括:锁相放大器、电压源和电流计,能够对电子元件的电学性质进行原位表征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





