[实用新型]具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器有效

专利信息
申请号: 201220568170.6 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN202837224U 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 金建东;郑丽;齐虹;李玉玲;王平;王明伟;田雷;司良有;王成杨 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 具有 微米 网格 多孔 电极 电容 高分子 湿度 传感器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电容式高分子湿度传感器,特别涉及一种具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器。

背景技术

电容式高分子湿度传感器是在一种绝缘衬底1上制作出以高分子敏感材料为电介质的电容,高分子电介质层的介电常数随其所吸附的水分含量而变化。该电容的上下极板由金属薄膜构成,电容信号从两个电极引出,这要求两个电极都具有一定的厚度并且可焊。为保证对湿度敏感,敏感层上的电极需要多孔透气,保证水汽可以进出敏感层。金属薄膜导电可焊要求薄膜具有一定厚度并且致密,与基底材料附着良好,同时作为水汽的进出通道,又要求金属薄膜有约1微米孔径的密布通气孔洞,保证湿气的进出敏感薄膜,这两个要求是相互矛盾的,为解决这对矛盾,常规的解决方法有两种,一是将信号引出的焊盘制作在基底材料上,多孔电极制作在高分子湿敏薄膜上,形成串联的两个电容,这样一是增大了元件的尺寸,另一方面同一尺寸下减小了容值,降低了灵敏度;后期改型设计是采用两次金属成膜的方法,在多孔透气的金属薄膜和与下电极4同时制作的焊盘间再沉积上一层较厚的金属薄膜层将透气金属薄膜与焊盘连接,这样保证元件的尺寸不增加的情况下灵敏度提高,但是该方法的补点的本身附着性,及制作补点工艺可操控性都有可能影响元件的后期使用,敏感材料上的透气金属层厚度只能在几十纳米,工艺可控制性不好,而且该层不能对敏感材料层有效保护,容易划伤,后续应用较为不方便。所以目前这种电容式高分子湿度传感器可靠性差。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决目前尺寸不增加的电容式高分子湿度传感器可靠性差问题,本实用新型提供一种具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器。

本实用新型的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器,它包括衬底和湿敏电容薄膜,湿敏电容薄膜包括下电极、电介质层和上电极;其特征在于,所述上电极为微米网格状多孔电极,所述多孔为阵列式排布的通透孔,下电极包括过渡的金属薄层和金薄膜。

本实用新型的优点在于,本实用新型用在电介质层上面制作一层上电极,该上电极既要保证湿敏电容独特的多孔透气要求,又要能够作为电容的一个极板连续导电,最为重要的是,该上电极同时要形成一个可以作为信号导出的可焊焊盘。传统的传感器的上电极只能在几十纳米厚度,稍厚一点就过于致密而不能让水分子通过,稍薄一点则金属层不连续不能作为电容极板,与这样的薄膜极板相比,本实用新型的微米网格状多孔的上电极厚度可达微米级,所以电极层的厚度冗余度大大增加;虽然纳米级的薄膜是无法进行引线焊接的,通过增加过渡补点的方法也会带来后续元件应用中的不可靠因素,若是换做其他多孔导电材料,电极可焊性降低,信号引出方式减少,元件可靠性降低。本实用新型同时解决需要多孔透气、导电连续并且致密可焊的金属薄膜,解决了湿敏电容上电极6极板制作和信号引出的难题,该方法工艺可实现性强,便于批量生产应用。本实用新型容易实现,工艺一致性好,对元件的性能和可靠性提高都有很好的效果,并且扩大了上电极6导电透气薄膜材料的可选范围。

附图说明

图1是本实用新型的具体实施方式二制作的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器的结构示意图。

具体实施方式

具体实施方式一:本实施方式所述的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器,它包括衬底1和湿敏电容薄膜,湿敏电容薄膜包括下电极4、电介质层5和上电极6;其特征在于,所述上电极6为微米网格状多孔电极,所述多孔为阵列式排布的通透孔,下电极4包括过渡的金属薄层和金薄膜。

具体实施方式二:结合图1说明本实施方式,本实施方式是对具体实施方式一所述的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器的进一步限定,它还包括绝缘层,衬底1为单晶硅。

具体实施方式三:本实施方式是对具体实施方式一所述的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器的进一步限定,衬底1为无碱玻璃基片。

无碱玻璃基片为衬底时,不需要绝缘层。

具体实施方式四:本实施方式是对具体实施方式二所述的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器的进一步限定,所述绝缘层包括二氧化硅层2和氮化硅层3。

同时使用二氧化硅层2或氮化硅层3来使单晶硅和湿敏电容薄膜绝缘,绝缘性能更好。

具体实施方式五:本实施方式是对具体实施方式四所述的具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器的进一步限定,所述二氧化硅层2的厚度为2000A~3000A,所述氮化硅层3的厚度为1000A~1500A。

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